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J-GLOBAL ID：202102267289636225   整理番号：21A0834583

ディスプレイバックプレーンや論理回路向けの完全プリント酸化物TFT

Fully Printed Oxide TFTs for Display Backplane and Logic Circuits

著者 (3件)： LAN Linfeng (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  LI Yuzhi (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  PENG Junbiao (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM)  (Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM))
巻： 24th  ページ： ROMBUNNO.AMD4-5L  発行年： 2017年12月05日 
JST資料番号： L4269B  ISSN： 1883-2504  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・優れた均一性を有する完全インクジェットプリント金属酸化物薄膜トランジスタ(MO-TFT)アレイを開発。
・表面エネルギーパターン(Cytop)の採用により酸化物薄膜の表面形態を規則化。
・本MO-TFTのプリントプロセスは全て室温で実行され,優れた電子移動度と無視できるヒステリシスなど良好な電気的特性を提示。
・本MO-TFTを用いて基本的なNOT反転論理回路を構築。

シソーラス用語： インクジェット印刷 ,  金属酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  論理回路 ,  *フラットパネルディスプレイ ,  インバータ
準シソーラス用語： *TFT【トランジスタ】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• B. D. Ahn, H. Jeon, J. Sheng, J. Park, and J. Park, “A review on the recent developments of solution processes for oxide thin film transistors,” Semicond. Sci. Technol. Vol. 30, No. 6, pp. 064001 (2015).
• S. J. Kim, S. Yoon and H. J. Kim, “Review of solution-processed oxide thin-film transistors,” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 53, No. 2S, pp. 02BA02 (2014).
• C. H. Choi, L. Y. Lin, C. C. Cheng, and C. H. Chang, “Printed oxide thin film transistors: a mini review,” ECS J. Solid State Sci. Technol, Vol. 4, No. 4, pp.3044-3051 (2015).
• S. Wu, Q. Zhang, Z. Chen, L. Mo, S. Shao, and Z. Cui, “Inkjet printing of oxide thin film transistor arrays with small spacing with polymer-doped metal nitrate aqueous ink,” J. Mater. Chem. C, Vol. 5, No.30, pp. 7495-7503 (2017).
• E. B. Secor, J. Smith, T. J. Marks, and M. C. Hersam, “High-Performance Inkjet-Printed Indium-Gallium-Zinc-Oxide Transistors Enabled by Embedded, Chemically Stable Graphene Electrodes,” ACS Appl. Mater. Interfaces, Vol. 8, No.27, pp. 17428-17434 (2016).

タイトルに関連する用語 (5件)： ディスプレイ ,  バックプレーン ,  論理回路 ,  酸化物 ,  TFT