文献

J-GLOBAL ID：202102267437725697   整理番号：21A0612183

逆オフセット印刷におけるClicheの表面エネルギー制御による印刷速度と品質強化【JST・京大機械翻訳】

Printing Speed and Quality Enhancement by Controlling the Surface Energy of Cliche in Reverse Offset Printing

著者 (8件)： Cho Young Tae (Department of Mechanical Engineering, Changwon National University, 20 Changwondaehak-ro, Uichang-gu 51140, Changwon-si, Gyeongsangnam-do, Korea) ,  Jeong Yeonho (Department of Mechanical Engineering, Changwon National University, 20 Changwondaehak-ro, Uichang-gu 51140, Changwon-si, Gyeongsangnam-do, Korea) ,  Kim Youn Jae (Department of Printed Electronics, Korea Institute of Machinery and Materials, Daejeon 34103, Korea) ,  Kwon Sin (Department of Printed Electronics, Korea Institute of Machinery and Materials, Daejeon 34103, Korea) ,  Lee Seung-Hyun (Department of Printed Electronics, Korea Institute of Machinery and Materials, Daejeon 34103, Korea) ,  Kim Kwang Young (Department of Printed Electronics, Korea Institute of Machinery and Materials, Daejeon 34103, Korea) ,  Kang Dongwoo (Department of Printed Electronics, Korea Institute of Machinery and Materials, Daejeon 34103, Korea) ,  Lee Taik-Min (Department of Printed Electronics, Korea Institute of Machinery and Materials, Daejeon 34103, Korea)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 7  号： 12  ページ： 1302  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 印刷エレクトロニクスは,その低コストと生産性のため,新興技術の1つである。最近,多くの研究者は,薄膜トランジスタのゲート線を含むフレキシブル基板上の微細電子パターンの作製に印刷技術を適応させることを試みた。本研究では,ナノインプリントプロセスを用いて柔軟なclicheを作製し,それを逆オフセット印刷に用いた。次に,印刷速度や圧延方向などのプロセスパラメータに及ぼすインプリントされたclicheの表面エネルギーの影響を分析した。印刷されたパターンのプロセスおよび品質の生産性は,clicheの表面エネルギーを制御することでかなり増強されることを示した。柔軟なclicheを,ブランケットのものとかなり異なる表面エネルギーを有する樹脂を用いて製造するとき,インクは,容易に分離でき,そして,パターン形状に関係なく,微細パターンを,首尾よく取り除くことができた。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *表面エネルギー ,  *印刷 ,  *オフセット印刷 ,  ブランケット ,  薄膜トランジスタ ,  インク ,  電子技術 ,  プロセスパラメータ ,  フレキシブル基板
準シソーラス用語： ナノインプリント ,  圧延方向 ,  印刷技術 ,  *印刷速度 ,  エネルギー制御 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノインプリントプロセス ,  逆オフセット印刷 ,  c ,  表面エネルギー ,  TFTのゲートライン

分類 (2件)： 印刷  (ZA05040A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (24件)：

• Tsumura, A.; Koezuka, H.; Ando, T. Macromolecular electronic device: Field-effect transistor with a polythiophene thin film. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 1210-1212.
• Burroughes, J.H.; Jones, C.A.; Friend, R.H. New semiconductor device physics in polymer diodes and transistors. Nature 1988, 335, 137-141.
• Horowitz, G.; Fichou, D.; Peng, X.; Xu, Z.; Garnier, F. A field-effect transistor based on conjugated alpha-sexithienyl. Solid State Commun. 1989, 72, 381-384.
• Garnier, F.; Hajlaoui, R.; Yassar, A.; Srivastava, P. All-polymer field-effect transistor realized by printing techniques. Science 1994, 265, 1684-1687.
• Laquindanum, J.G.; Katz, H.E.; Lovinger, A.J.; Dodabalapur, A. Morphological origin of high mobility in pentacene thin-film transistors. Chem. Mater. 1996, 8, 2542-2544.

タイトルに関連する用語 (4件)： オフセット印刷 ,  エネルギー制御 ,  印刷速度 ,  強化