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J-GLOBAL ID：202102267513662717   整理番号：21A2393018

グラフェン単一層構造ZnOとGaNの圧電特性比較研究【JST・京大機械翻訳】

Piezoelectricity of Graphene-like Monolayer ZnO and GaN

著者 (6件)： Xiang Hui (湖北理工学院数理学院,黄石 435003;南京大学 固体微結構物理国家重点実験室,南京210009) ,  Quan Hui (湖北理工学院数理学院,黄石 435003) ,  Hu Yiyuan (湖北理工学院数理学院,黄石 435003) ,  Zhao Weiqian (湖北理工学院数理学院,黄石 435003) ,  Xu Bo (南京大学 固体微結構物理国家重点実験室,南京210009;中国薬科大学理学院,南京211198) ,  Yin Jiang (南京大学 固体微結構物理国家重点実験室,南京210009)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 36  号： 5  ページ： 492-496  発行年： 2021年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算を用いて,グラフェン様単層構造ZnO(g-ZnO)およびGaN(g-GaN)の力学,電気的および圧電特性を計算した。歪の後の原子座標緩和と無さのClamped-ionとRelaxed-ionの2種類のモードの弾性剛性係数と圧電テンソルを重点的に研究した。結果は,単層g-ZnOとg-GaNが,半導体の特性と良い弾性を持つことを示した。単層g-ZnOとg-GaNの圧電係数はそれぞれ約9.4と2.2pm・V-1であり、これらの単層材料が極薄デバイスに圧電効果があり、g-ZnOの圧電性能が優れていると予測した。従って、グラフェン単層ZnOは圧力センサー、ブレーキ、トランスデューサ及びエネルギー収集器などのナノスケールデバイスに有望である。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： テンソル ,  半導体 ,  ブレーキ ,  弾性 ,  *酸化亜鉛 ,  *圧電気 ,  緩和現象 ,  *窒化ガリウム ,  密度汎関数法 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 圧電効果 ,  圧電定数 ,  *圧電特性 ,  ナノスケール ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  単一層 ,  ZnO ,  GaN ,  圧電特性 ,  研究