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J-GLOBAL ID：202102267742980566   整理番号：21A3314361

Zn/CdSnO_3ペロブスカイトのエレクトロニクス,オプトエレクトロニクス,熱電,および機械特性の研究【JST・京大機械翻訳】

The study of electronics, optoelectronics, thermoelectric, and mechanical properties of Zn/CdSnO₃ perovskites

著者 (10件)： Ashiq M.G.B. (Department of Physics, College of Science, Imam Abdulrahman Bin Faisal University, P. O. Box 1982, 31441, Dammam, Saudi Arabia) ,  Ashiq M.G.B. (Basic and Applied Scientific Research Center, Imam Abdulrahman Bin Faisal University, P. O. Box 1982, 31441, Dammam, Saudi Arabia) ,  Mahmood Q. (Department of Physics, College of Science, Imam Abdulrahman Bin Faisal University, P. O. Box 1982, 31441, Dammam, Saudi Arabia) ,  Mahmood Q. (Basic and Applied Scientific Research Center, Imam Abdulrahman Bin Faisal University, P. O. Box 1982, 31441, Dammam, Saudi Arabia) ,  Ul Haq Bakhtiar (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  Flemban Tahani H. (Department of Physics, College of Science, Imam Abdulrahman Bin Faisal University, P. O. Box 1982, 31441, Dammam, Saudi Arabia) ,  Flemban Tahani H. (Basic and Applied Scientific Research Center, Imam Abdulrahman Bin Faisal University, P. O. Box 1982, 31441, Dammam, Saudi Arabia) ,  Kattan Nassrin A. (Department of Physics, Faculty of Science, Taibah University, Medina, Saudi Arabia) ,  Alshahrani Thamra (Department of Physics, College of Science, Princess Nourah Bint Abdulrahman University, Riyadh, Saudi Arabia) ,  Laref A. (Department of Physics and Astronomy, College of Science, King Saud University, Riyadh, 11451, Saudi Arabia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 137  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の相におけるZn/CdSnO_3の物理的性質を調べ,オプトエレクトロニックおよび他のエネルギーデバイスに対する性能を最適化した。形成エネルギーおよび許容因子を,最も安定な相を,立方晶,斜方晶系および三方晶相で,報告した。斜方晶系(2.70eV,2.47eV)および三方晶(3.5eV,3.10eV)相におけるバンドギャップは直接であった。立方晶相では,それらは直接バンドギャップ(2.08eV,2.4eV)を有する。立方晶相の機械的,光学的,および熱電特性を,立方晶相の高い安定性のために詳述した。パッションとPugh比は延性挙動を示し,Debye温度は大きな熱容量を示した。光学誘電率と吸収係数は紫外領域における光の偏光と吸収を示した。電気伝導率は,Wiedemann-Franz則に従う熱伝導率と比較して重要であることが分かった。ZnSnO_3とCdSnO_3の室温での性能指数はそれぞれ0.58と0.50であった。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Debye温度 ,  延性 ,  吸収係数 ,  最適化 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  偏光 ,  誘電率 ,  *電子技術 ,  *オプトエレクトロニクス ,  斜方晶系 ,  立方晶系 ,  三方晶系 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： オプトエレクトロニクス ,  熱力学的および構造的安定性 ,  紫外線領域 ,  輸送特性 ,  電気伝導率

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： Zn ,  ペロブスカイト ,  エレクトロニクス ,  オプトエレクトロニクス ,  機械特性 ,  研究