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J-GLOBAL ID：202102267810613127   整理番号：21A0015956

水平キンクGaNナノワイヤのホモエピタキシャル成長の理解【JST・京大機械翻訳】

Understanding homoepitaxial growth of horizontal kinked GaN nanowires

著者 (14件)： Wu Shaoteng (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wu Shaoteng (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences Beijing, 100049, People’s Republic of China) ,  Yi Xiaoyan (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Yi Xiaoyan (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences Beijing, 100049, People’s Republic of China) ,  Tian Shuang (Jiangsu Key Laboratory for Advanced Metallic Materials, School of Materials Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China) ,  Zhang Shuo (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhang Shuo (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences Beijing, 100049, People’s Republic of China) ,  Liu Zhiqiang (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Liu Zhiqiang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences Beijing, 100049, People’s Republic of China) ,  Wang Liancheng (State key Laboratory of High-Performance Complex Manufacturing, College of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha Hunan, 410083, People’s Republic of China) ,  Wang Junxi (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wang Junxi (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences Beijing, 100049, People’s Republic of China) ,  Li Jinmin (State Key Laboratory of Solid-State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Li Jinmin (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences Beijing, 100049, People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 32  号： 9  ページ： 095606 (10pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル水平ナノワイヤ(NWs)は,それらの容易な大規模集積のため,多くの注目を集めている。報告された文献から,エピタキシャル成長は,通常,NWと基板の間の歪の最小化によって駆動され,特定の結晶学的方位と共に成長を支配する。ここでは,表面指向蒸気-液体-固体成長法からの水平GaN NWの最初のホモエピタキシャル成長を報告する。NWは,6つの対称等価<1-100>(m軸)方向と共に成長し,ランダム60°/120°キンク形状を示した。ホモエピタキシャル成長のため,歪を除去できた。得られた結果から,水平NWの形成とその成長方向/方位は歪最小化に直接関係しないことを示唆した。エピタキシャル関係とポテンシャル低指数成長方位に基づく一般的規則を,エピタキシャル水平NWの配置を理解するために提案した。水平NWのキンクは,基板表面の粗さによって決まる意図的な誘導成長に起因すると推論した。本研究は,特に成長方向/方位に対して,エピタキシャル水平NWの進展をより良く理解するための洞察を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  対称性 ,  LSI【IC】 ,  *キンク ,  結晶方位 ,  *窒化ガリウム ,  VLS成長 ,  *ナノワイヤ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： キンク ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  理解