文献

J-GLOBAL ID：202102268289178452   整理番号：21A0026180

三方晶-反プリズム構造を有する単層GaSeの安定性と電子構造に関する第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study on the stability and electronic structure of monolayer GaSe with trigonal-antiprismatic structure

著者 (5件)： Nitta Hirokazu (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Yonezawa Takahiro (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Fleurence Antoine (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Yamada-Takamura Yukiko (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Ozaki Taisuke (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 102  号： 23  ページ： 235407  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近発見された多形である三方晶-反プリズム(AP)構造を有するGaSe単分子層の構造安定性と電子状態を第一原理計算によって研究した。AP相GaSe単分子層は安定であり,エネルギーおよび格子定数の差は,基底状態であると見られる従来の三方晶-プリズム(P)構造を有するGaSe単分子層に対して計算したものと比べて小さかった。さらに,P相およびAP相GaSe単分子層の相対的安定性は,引張歪下で逆転することが明らかになった。これらの計算結果は,エピタキシャル成長したGaSe薄膜におけるAP相GaSe単分子層の形成メカニズムへの洞察を提供する。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基底状態 ,  格子定数 ,  電子構造 ,  薄膜 ,  *プリズム ,  単分子層 ,  *三方晶系 ,  単一層 ,  第一原理 ,  電子状態
準シソーラス用語： GaSe ,  構造安定性 ,  第一原理計算 ,  引張歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 三方晶 ,  プリズム ,  単層 ,  GaSe ,  安定性 ,  電子構造 ,  第一原理 ,  研究