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J-GLOBAL ID：202102268437765723   整理番号：21A0154893

Ag_2ZnSnS_4結晶成長のためのAg_2SnS_3-ZnS擬二成分系の相図【JST・京大機械翻訳】

Phase diagram of the Ag₂SnS₃-ZnS pseudobinary system for Ag₂ZnSnS₄ crystal growth

著者 (4件)： Nagaoka Akira (Research Center for Sustainable Energy & Environmental Engineering, University of Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Yoshino Kenji (Department of Applied Physics and Electronic Engineering, University of Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Kakimoto Koichi (Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, Kasuga 816-8580, Japan) ,  Nishioka Kensuke (Research Center for Sustainable Energy & Environmental Engineering, University of Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 555  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag_2ZnSnS_4(AZTS)結晶の成長のためのAg_2SnS_3-ZnS擬二元系の相平衡を平衡消光法を用いて研究した。AZTSの成長機構は包晶反応液相+ZnS相⇔AZTS相に従い,それはε≧20mol%ZnSの組成と約700°Cの温度で起こる。AZTS多結晶試料を化学量論的メルト成長から得た。二次相のないAZTS試料のケステライト構造をX線回折とRaman分光法測定の組み合わせによって同定した。Hall効果測定により決定した電子キャリア濃度と伝導率は,それぞれ(3.0~6.3)×1015cm-3と(5.6~9.2)×10-4S/cmであった。Ag(Zn_Ag)とS空孔(V_S)欠陥の支配的なZnアンチサイトのため,わずかにZnリッチとSの少ない組成がAZTSのn型伝導につながった。したがって,この研究はAZTS材料の研究と応用に大きく貢献できる。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *結晶成長 ,  消光 ,  *状態図 ,  相平衡 ,  包晶反応 ,  *硫化亜鉛 ,  多結晶 ,  化学量論 ,  液相 ,  キャリア密度 ,  *二成分系 ,  Raman分光法 ,  メルト
準シソーラス用語： 伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1.状態図 ,  A1.相平衡 ,  A1.擬連星系 ,  A_2 融液からの成長 ,  B_1.Ag_2ZnSnS_4(AZTS) ,  B_2 四成分化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶成長 ,  ZnS ,  二成分系 ,  相図