非晶質シリコンのアルミニウム誘起結晶化によるP型ポリSi/SiO_x接触【JST・京大機械翻訳】

Sharma Rajiv; Sharma Rajiv; Szlufcik Jozef; Radhakrishnan Hariharsudan Sivaramakrishnan; Poortmans Jef; Poortmans Jef; Poortmans Jef

文献

J-GLOBAL ID：202102268988386538 整理番号：21A3385041

非晶質シリコンのアルミニウム誘起結晶化によるP型ポリSi/SiO_x接触【JST・京大機械翻訳】

P-type poly-Si/SiO_x contact by aluminium-induced crystallization of amorphous silicon

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高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=21A3385041&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0513C") }}

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資料名：
巻： 234 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

本研究では,Si太陽電池用のp型ポリSi/SiO_x接触を作るための低温代替として非晶質Si(a-Si)のアルミニウム誘起結晶化(AIC)を調べた。このアプローチでは,SiO_x不動態化Siウエハ表面に堆積したAlとa-Siのスタックを57°C以下の温度(Al-Si混合物の共晶温度)でアニールし,スタック中のAlとSiの層位置の交換とAlドープp型ポリSiへのa-Siの同時結晶化を誘起し,Al/poly-Si/SiO_x不動態化接触の形成を潜在的にもたらした。AlドープAICポリSiは,低いキャリア濃度を有し,従って,AICのために高度にBドープa-Siを使用し,キャリア濃度の10倍増加を達成した。不動態化SiO_x層の1.5nmの典型的な厚さは,Alがプロセス中のSiO_xを還元し,その不動態化品質を低下させるので,このAICベースアプローチでは低すぎることを見出した。厚いSiO_x層から出発して,低い接触再結合を有するAICポリSi/SiO_x接触が達成できることを示した。しかし,接触特性は非オーム性のままである。これは,AlがSi基板に拡散するAIC後の拡張アニーリングによって改善できる。しかし,Al拡散はSiO_x層を損傷し,次に接触再結合を著しく増加させた。AIC poly-Si/SiO_x接触により,低接触抵抗と低接触再結合を達成するプロセス窓が,もし存在するならば,非常に狭くなると結論した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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太陽電池

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