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J-GLOBAL ID：202102269537192447   整理番号：21A1312528

ゲルマニウムベース半導体デバイスの界面磁気抵抗効果とバルク磁気抵抗効果【JST・京大機械翻訳】

Interface Magnetoresistance Effect and Bulk Magnetoresistance Effect of Germanium-based Semiconductor Devices

著者 (6件)： Yu Han (武漢理工大学材料復合新技術国家重点実験室,武漢430070) ,  He Xiong (武漢理工大学材料復合新技術国家重点実験室,武漢430070) ,  Zhang Kongbin (武漢理工大学材料復合新技術国家重点実験室,武漢430070) ,  He Bin (武漢理工大学材料復合新技術国家重点実験室,武漢430070) ,  Luo Feng (武漢理工大学材料復合新技術国家重点実験室,武漢430070) ,  Sun Zhigang (武漢理工大学材料復合新技術国家重点実験室,武漢430070)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 35  号： 2  ページ： 69-73,85  発行年： 2021年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本仕事はAg/p-Ge:Ga/Agデバイスの界面磁気抵抗と体磁気抵抗効果を研究し、このデバイスの体磁気抵抗効果が界面磁気抵抗効果よりはるかに大きいことを表明した。界面磁気抵抗に対して、界面局部プラズマの形成と消光は外部磁場による影響が小さいため、界面磁気抵抗は小さいが、体磁気抵抗にとって、磁場はキャリア再結合速度が加速し、キャリア濃度が急激に降下し、それによって体磁気抵抗の数値が大きい。更なる研究により、低キャリア濃度Geを用いて作製したデバイスは、より優れた体磁気抵抗効果が得られることが分かった。本仕事は異なる磁場の印加方向が体磁気抵抗効果に与える影響を研究し、低温時体磁気抵抗は明らかな異方性があることを発見した。温度が200K以下のとき,垂直方向のバルク磁気抵抗は,平行方向のものより著しく高く,10Kの温度で,垂直方向の磁気抵抗の最大値は,約123%@1Tであり,そして,それは,平行方向より非常に大きかった(約41%@1T)。機構分析により、体磁気抵抗効果の異方性は、異なる磁場配置における幾何効果の差異に由来するが、低温におけるキャリア移動度の増加は、この幾何効果への影響がもっと顕著であることが明らかになった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  *界面 ,  幾何学 ,  キャリア移動度 ,  磁場 ,  *磁気抵抗 ,  プラズマ ,  消光 ,  低温 ,  *半導体素子 ,  *ゲルマニウム ,  *磁気抵抗効果 ,  キャリア密度 ,  外部磁場 ,  キャリア再結合

分類 (1件)： 化学工業一般  (YA01010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲルマニウム ,  半導体デバイス ,  界面 ,  磁気抵抗効果 ,  バルク