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J-GLOBAL ID：202102269824978126   整理番号：21A0893905

トポロジカル1T′相における二硫化モリブデンナノリボンのサブバンド構造とバリスティックコンダクタンス:k・p研究【JST・京大機械翻訳】

Subband Structure and Ballistic Conductance of a Molybdenum Disulfide Nanoribbon in Topological 1T’ Phase: A k・p Study

著者 (3件)： Sverdlov Viktor (Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at the Insitute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien,Vienna,Austria) ,  El-Sayed Al-Moatasem Bellah (Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien,Vienna,Austria) ,  Selberherr Siegfried (Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien,Vienna,Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： MIXDES  ページ： 168-171  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1T’二硫化モリブデンの狭いナノリボンにおけるサブバンド構造を,有効k_pハミルトニアンを用いて評価する。エネルギーがバルクバンドギャップ内にある高導電性トポロジー保護エッジ状態を調べた。反対のエッジに位置するエッジモードの相互作用により,それらの線形スペクトルにおける小さなギャップは狭いナノリボンで開いた。このギャップは,広いナノリボンの挙動とは対照的に,垂直面外電場で鋭く増加することが示された。電子と正孔バルクサブバンド間のギャップも電場と共に増加する。サブバンド間のギャップの増加は,弾道ナノリボンコンダクタンスとゲート電圧による電流の急速な減少をもたらし,二硫化モリブデンナノリボンベース電流スイッチの設計に使用できる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ハミルトニアン ,  位相幾何学 ,  正孔 ,  相互作用 ,  *電場 ,  電流 ,  スペクトル ,  線形性 ,  垂直面
準シソーラス用語： エッジ状態 ,  *二硫化モリブデン ,  *ナノリボン ,  ゲート電圧 ,  *サブバンド ,  サブバンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二硫化モリブデン ,  ナノリボン ,  サブバンド構造 ,  研究