エピタキシャル二次元ハニカム[数式:原文を参照]合金のバンドエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Fleurence A.; Awatani Y.; Huet C.; Wiggers F. B.; Wallace S. M.; Yonezawa T.; Yamada-Takamura Y.

文献

J-GLOBAL ID：202102270307145948 整理番号：21A0438272

エピタキシャル二次元ハニカム[数式:原文を参照]合金のバンドエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Band engineering in an epitaxial two-dimensional honeycomb [Formula : see text] alloy

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資料名：
巻： 5 号： 1 ページ： L011001 発行年： 2021年
JST資料番号： W3690A ISSN： 2475-9953 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本稿では,堆積したGe原子によって[数式:原文を参照](0001)上のエピタキシャルシリセンの平面状構造の上端サイトを占めるSi原子を置換することにより,二次元(2D)シリセン様[数式:原文を参照]化合物を形成できることを示した。1/6単分子層以下の被覆率では,Ge堆積は[数式:原文を参照]合金(xが0から1)に上昇し,その上,オントップサイトはSiまたはGe原子によってランダムに占有される。xによる価電子帯最大値の漸進的増加は,Ge原子からSi原子への選択的電荷移動から実験的に起こった。これらの成果は,2D SiGe合金におけるバンド構造を,それらのバルク対応物に対して類似した方法で,エンジニアリングする可能性の証拠を与える。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , その他の無機化合物の薄膜 , 半導体結晶の電子構造

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