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J-GLOBAL ID:202102271620679868   整理番号:21A1274034

光起電性Shingledモジュール用のHITセルのレーザスクライビングプロセスの特性評価【JST・京大機械翻訳】

Characterization of the Laser Scribing Process of HIT Cells for a Photovoltaic Shingled Module
著者 (7件):
資料名:
巻: 77  号: 11  ページ: 971-974  発行年: 2020年 
JST資料番号: T0357A  ISSN: 0374-4884  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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Shingledストリング技術は,光起電力モジュールの出力電力を最大化するために使用することができる。シュリングした光起電力モジュールの最大電力(P_max)は,電池の固有薄層(HIT)との両面ヘテロ接合を用いて増加できる。高出力モジュール用のシュリングストリングを作製するために,まずレーザスクライビングにより6インチ太陽電池を切断し,切削損失を最小にした。標準結晶シリコン(c-Si)太陽電池と異なり,両面HIT太陽電池の構造は熱効果の下で弱く,最適スクライビング条件を見つける必要があった。レーザースクライビングプロセスを最適化した後,P_maxは,緑色レーザと比較して紫外線(UV)レーザを用いた場合,各分離太陽電池で0.02W増加し,HITセルのUVカットシュリングストリングを初めて示した。Copyright The Korean Physical Society 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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太陽電池  ,  酸化物薄膜 
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