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J-GLOBAL ID：202102271779532270   整理番号：21A1047842

光起電力応用のためのGaNとSiC MOSFETの熱機械的応力比較【JST・京大機械翻訳】

Thermo-Mechanical Stress Comparison of a GaN and SiC MOSFET for Photovoltaic Applications

著者 (14件)： Sande Wieland Van De (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Sande Wieland Van De (IMOMEC, IMEC, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Sande Wieland Van De (EnergyVille, Thorpark 8320, 3600 Genk, Belgium) ,  Alavi Omid (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Alavi Omid (IMOMEC, IMEC, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Alavi Omid (EnergyVille, Thorpark 8320, 3600 Genk, Belgium) ,  Nivelle Philippe (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Nivelle Philippe (IMOMEC, IMEC, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Nivelle Philippe (EnergyVille, Thorpark 8320, 3600 Genk, Belgium) ,  D’Haen Jan (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  D’Haen Jan (IMOMEC, IMEC, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Daenen Michaeel (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Daenen Michaeel (IMOMEC, IMEC, Wetenschapspark 1, 3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Daenen Michaeel (EnergyVille, Thorpark 8320, 3600 Genk, Belgium)
資料名： Energies (Web)  (Energies (Web))
巻： 13  号： 22  ページ： 5900  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7016A  ISSN： 1996-1073  CODEN： ENERGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 都市環境内の光起電力応用の統合は,長い寿命を保証できるよりコンパクトで効率的な電力エレクトロニクスの必要性を創造する。広いバンドギャップ半導体デバイスは,最初の2つの特性を提供するのに大きな有望性を示すが,それらのパッケージングは,それらの信頼性を最適化するために,更なる試験を必要とする。本論文は,金型付着における発生した熱機械的応力とGaNとSiC MOSFETの結合ワイヤを比較するために用いる信頼性方法論の設計の1つの反復を示した。Arizonaから接合損失プロファイルへの曇りと明確な1時間ミッションプロファイルを変換するために,光起電力ストリングインバータの電気熱モデルを使用した。続いて,両方のデバイスの有限要素法モデルを,塑性エネルギーを解析するためにリバースエンジニアリングを通して構築した。その結果,曇りミッションプロファイルに起因するダイ付着における塑性エネルギーは,明確なミッションプロファイルに起因するものよりはるかに高いことを示した。GaN MOSFETは,その減少損失にもかかわらず,SiC MOSFETよりも,そのダイス付着において,約5倍多くの塑性エネルギー散逸密度を示し,一方,逆は,ボンドワイヤに対して真であった。両デバイスに対する潜在的設計適応は信頼性方法論の設計において新しい反復を開始することが示唆され,最終的により信頼できる設計につながるであろう。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  *光起電力 ,  最適化 ,  半導体素子 ,  付着 ,  有限要素法 ,  信頼性 ,  *MOSFET ,  *窒化ガリウム ,  金属線 ,  パワーエレクトロニクス ,  バンドギャップ ,  リバースエンジニアリング
準シソーラス用語： 熱モデル ,  曇天 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： ワイドバンドギャップ ,  パワーエレクトロニクス ,  電気-熱モデル ,  有限要素法 ,  熱機械的応力 ,  太陽光発電 ,  ミッションプロファイル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  太陽光発電  (NB03090G)

引用文献 (33件)：

• Breyer, C.; Bogdanov, D.; Aghahosseini, A.; Gulagi, A.; Child, M.; Oyewo, A.S.; Farfan, J.; Sadovskaia, K.; Vainikka, P. Solar photovoltaics demand for the global energy transition in the power sector. Prog. Photovolt. Res. Appl. 2018, 26, 505-523.
• Rakhshani, E.; Rouzbehi, K.; del Pozo Fernandez, A.J.S.; Cabrera-Tobar, A.; Pouresmaeil, E. Integration of Large Scale PV-Based Generation into Power Systems: A Survey. Energies 2019, 12, 1425.
• Apostoleris, H.; Sgouridis, S.; Stefancich, M.; Chiesa, M. Utility solar prices will continue to drop all over the world even without subsidies. Nat. Energy 2019, 4, 833-834.
• Mehravaran, A.; Derhem, A.; Nassereddine, M. Building-Integrated Photovoltaics (BIPV) for Residential and Industrial Properties. In Proceedings of the 2019 Advances in Science and Engineering Technology International Conferences (ASET), Dubai, UAE, 26 March-10 April 2019; IEEE: Dubai, UAE, 2019; pp. 1-6.
• Sarkar, D.; Kumar, A.; Sadhu, P.K. A Survey on Development and Recent Trends of Renewable Energy Generation from BIPV Systems. IETE Tech. Rev. 2020, 37, 258-280.

タイトルに関連する用語 (6件)： 光起電力 ,  応用 ,  GaN ,  SiC ,  MOSFET ,  機械的応力