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J-GLOBAL ID：202102271828108037   整理番号：21A0894812

GaNパワーデバイスのための経路【JST・京大機械翻訳】

The Path Forward for GaN Power Devices

著者 (1件)： Lidow Alex (CEO and Co-founder Efficient Power Conversion,El Segundo,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： WiPDA Asia  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNパワーデバイス,離散トランジスタおよび集積回路は10年以上にわたって生産され,より小さいサイズとより速いスイッチング速度から利益を得る多くのアプリケーションで重要な道路を成している。これらの素子は,それらの時効シリコンMOSFET祖先よりも数倍小さく,このサイズ利点のため,また,製造するのは,比較的安価である。本論文では,GaN生産者に直面するコスト,電力密度,および統合課題について議論する。インパクトを定量化し,実装のための合理的なタイムテーブルを設定することを試みた。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 時効 ,  集積回路 ,  トランジスタ ,  道路 ,  MOSFET ,  生産者 ,  応用プログラム ,  *窒化ガリウム ,  時刻表
準シソーラス用語： 電力密度 ,  *パワーデバイス ,  スイッチング速度 ,  低価格 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaNパワーデバイス ,  経路