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J-GLOBAL ID：202102271938792607   整理番号：21A0834673

連続的な外向きの滑り応力下での柔軟なLTPS-TFTの安定性分析

Analysis of Flexible LTPS TFT Stability under Continuous Outward Sliding Stress

著者 (6件)： YUAN Bo (Kunshan New Flat Panel Display Technol. Center Co., Ltd, Jiangsu, CHN) ,  HU Kun (Kunshan New Flat Panel Display Technol. Center Co., Ltd, Jiangsu, CHN) ,  HUANG Genmao (Kunshan New Flat Panel Display Technol. Center Co., Ltd, Jiangsu, CHN) ,  FENG Hao (Kunshan New Flat Panel Display Technol. Center Co., Ltd, Jiangsu, CHN) ,  GAO Xiaoyu (Kunshan New Flat Panel Display Technol. Center Co., Ltd, Jiangsu, CHN) ,  HUANG Xiuqi (Kunshan Govisionox Optoelectronics Co., Ltd, Jiangsu, CHN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM)  (Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM))
巻： 24th  ページ： ROMBUNNO.FLXp1-3  発行年： 2017年12月05日 
JST資料番号： L4269B  ISSN： 1883-2504  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・柔軟な低温ポリシリコン(LTPS)薄膜トランジスタ(TFT)を製造し,連続的な外向き滑り応力(OSS)下での電気的安定性を検討。
・2umの有機保護フィルムがある場合とない場合のTFTのこぶ現象は,曲げ半径10mmと5mmでそれぞれ500回と80000回のOSSの後に発生。
・p-Siとゲート絶縁体界面の電荷蓄積や,ゲート絶縁体に生じたトラップ欠陥や機械的応力によるこぶ現象は,OSS中に周辺のSi-Si結合を歪ませ,受動水素結合を切断。
・10000回後のTFT故障の考えられるメカニズムは,上部の無機層の破損が金属線の破損につながり,最終的に電気接続の障害を引き起こすというもの。

シソーラス用語： フラットパネルディスプレイ ,  *ポリシリコン ,  *多結晶 ,  *安定性 ,  薄膜トランジスタ ,  応力 ,  平衡 ,  保護膜 ,  ゲート絶縁膜 ,  帯電 ,  故障 ,  信頼性 ,  *装置 ,  *部材 ,  *部品
準シソーラス用語： ゲート絶縁体 ,  フレキシブルディスプレイ ,  *フレキシブルデバイス ,  *低温ポリシリコン ,  電荷蓄積 ,  電気的安定性 ,  保護フィルム

分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

引用文献 (5件)：

• X. Q. Huang, K. Hu, L. Lin, Q. Shan, X. L. Yang, X. Y. Gao “Development of AMOLED display: From rigid to flexible”, Symposium Digest, pp. 412-414(2016)
• R. Komatsu, R. Nakazato, T. Sasaki, A. Suzuki, N. Senda, T. Kawata, H. Ikeda, S. Eguchi, Y. Hirakata, S. Yamazaki, T. Shiraishi, S. Yasumoto, C. Bower, D. Cotton, A. Mattews, P. Andres, C. Gheorghiu, J. Bergquist, “Repeatedly Foladable Book-Type AMOLED Display”, SID Dympositium Digest, pp.326-329,(2014)
• J. Liang, L. Li, D. Chen, T. Hajagos, Z. Ren, S.-Y. Chou, W. Hu, and Q. Pei, “Intrinsically stretchable and transparent thin-film transistors based on printable silver nanowires, carbon nanotubes and an elastomeric dielectric,” Nature Communication, vol.6, pp. 7647, (2015).
• J. Y. Oh, S. R. Gagné, Y.-C. Chiu, A. Chortos, F. Lisse, G.-J.N. Wang, B. C. Schroeder, T. Kurosawa, J. Lopez, T. Katsumata, J. Xu, C. Zhu, X. Gu, W.-G. Bae, Y. Kim, L.Jin, J. W. Chung, J. B. -H. Tok, Z. Bao, “Intrinsicallystretchable and healable semiconducting polymer for organictransistors,” Nature, vol. 539, pp. 411-415, (2016).
• B. W. Chen, T. C. Chang, Y. J. Hung, T. Y. Hseh, M.Y. Tsai, “Impact of repeated uniaxial mechanical strain on p-type flexible polycrystalline thin film transistors.” Applied Physics Letters, pp.183503(2015).

タイトルに関連する用語 (7件)： 外向き ,  滑り ,  応力 ,  LTPS ,  TFT ,  安定性 ,  分析