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J-GLOBAL ID：202102272515157165   整理番号：21A0143940

マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

Characterization of AlGaN multiple-quantum-wells grown on c-plane AlN/sapphire templates with macro-steps

著者 (12件)： 小島一信 (東北大学 多元物質科学研究所) ,  長澤陽祐 (創光科学株式会社) ,  平野光 (創光科学株式会社) ,  一本松正道 (創光科学株式会社) ,  杉江隆一 ((株)東レリサーチセンター) ,  本田善央 (名古屋大学 未来材料・システム研究所) ,  天野浩 (名古屋大学 未来材料・システム研究所) ,  天野浩 (赤崎記念研究館) ,  天野浩 (名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー) ,  赤崎勇 (名城大学) ,  秩父重英 (東北大学 多元物質科学研究所) ,  秩父重英 (名古屋大学 未来材料・システム研究所)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 47  号： 3  ページ： ROMBUNNO.47-3-04(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高密度マクロステップを有するAlNテンプレート上に作製したAlGaN発光ダイオード(LED)の微視的構造と光学的特性は,それらの高い内部量子効率(IQE)の起源を明らかにすることを示した。高角度環状暗視野走査モードと顕微鏡エネルギー分散X線分光下の断面透過電子顕微鏡観察は,AlGaN量子井戸(QW)層下のAlGaNクラッド層が,AlNテンプレート表面でのマクロステップに由来する微視的組成変調を有することを明らかにした。さらに,クラッド層中のGaリッチ部分は,電流マイクロパスとして挙動し,マイクロパスはQW中に形成されるキャリア局在化構造と接続した。面内カソードルミネセンス(CL)分光法はCL特性の著しい不均一性を示した。試料表面の穏やかな傾斜は,より低いピーク光子エネルギーでより明るい発光を示し,キャリア局在化を確認した。クラッド層における電流マイクロパスと組み合わせたQWにおけるこのキャリア局在化構造は,AlGaN LEDの外部量子効率と同様にIQEを増加できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *基板 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  光学的性質 ,  量子効率 ,  光学顕微鏡法 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  被覆層 ,  過剰成分 ,  陰極線ルミネセンス ,  エネルギー ,  局在状態
準シソーラス用語： *AlN ,  *サファイア基板 ,  *AlGaN ,  微視的構造 ,  光学的特性 ,  内部量子効率 ,  暗視野顕微鏡 ,  断面透過電子顕微鏡 ,  クラッド層 ,  カソードルミネセンス ,  光子エネルギー ,  キャリア局在化 ,  外部量子効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (24件)：

• 1) Y. Nagasawa and A. Hirano: Appl. Sci., 8 (2018) 1264.
• 2) K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, and S. F. Chichibu: 2018 European Conference on Optical Communication (ECOC) (2018); Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, A. Hirano, and M. Ippommatsu: 2019 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) (2019).
• 3) R. G. Banal, M. Funato, and Y. Kawakami: J. Cryst. Growth, 311 (2009) 2834.
• 4) H. Hirayama, N. Maeda, S. Fujikawa, S. Toyoda, and N. Kamata: Jpn. J. Appl. Phys., 53 (2014) 100209.
• 5) M. Shatalov, W. Sun, R. Jain, A. Lunev, X. Hu, A. Dobrinsky, Y. Bilenko, J. Yang, G. A. Garrett, and L. E. Rodak: Semicond. Sci. Technol., 29 (2014) 084007.

タイトルに関連する用語 (8件)： マクロ ,  AlN ,  サファイア ,  テンプレート ,  成長 ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  物性評価