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J-GLOBAL ID：202102272713911018   整理番号：21A1143412

0-π SQUIDに基づくSFQパルスにより駆動される高速メモリ【JST・京大機械翻訳】

High-Speed Memory Driven by SFQ Pulses Based on 0-π SQUID

著者 (7件)： Takeshita Yuto (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Li Feng (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Hasegawa Daiki (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Sano Kyosuke (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Tanaka Masamitsu (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Yamashita Taro (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Fujimaki Akira (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 31  号： 5  ページ： ROMBUNNO.1100906.1-6  発行年： 2021年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能超伝導体計算システムを達成するために必要な新しい極低温高速低電力マトリックスメモリを提案した。メモリセルは,従来のJosephson接合(0-接合)とπ-シフト強磁性Josephson接合(π-接合)を有する0-πSQUIDに基づいている。メモリ状態は,0-π SQUIDの2つの安定状態の形で保存される。π-接合のπシフト特性は,2つの状態,すなわち,メモリが不揮発性であるために,任意のバイアス電流または磁場の必要性を排除する。このメモリでは,単一磁束量子(SFQ)回路で発生するインパルス形電圧信号をメモリ状態の書き込みと読取操作に使用した。受動送電線で伝搬するパルスを用いて,高速と低電力動作を,運転速度を決定する再充電プロセスおよび支配的なエネルギー消費を除去できるため,達成することができた。SFQドライバを有する0-πSQUIDベースパルス駆動メモリセルを作製した。静的特性から,再書き込みに必要な電流を十分に低減できることを確認した。さらに,受動伝送線を介してSFQドライバから伝送されたSFQパルス列によるメモリセルにおける正しい書き込み動作を実証した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  強磁性 ,  磁場 ,  電流 ,  送電線 ,  記憶素子 ,  伝送線路 ,  極低温 ,  パルス列 ,  *パルス ,  *SQUID ,  超伝導体 ,  Josephson接合
準シソーラス用語： 単一磁束量子 ,  バイアス電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 符号理論  (ND02030R) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (3件)： SQUID ,  SFQ ,  パルス