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J-GLOBAL ID：202102273269760228   整理番号：21A1246315

カドミウムストレストマト葉のPSII電子伝達に及ぼす葉面散布ケイ素の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Foliar Silicon Application on Electron Transport of PS II in Tomato Leaves Under Cadmium Stress

著者 (3件)： Zhang Zejin (四川省農業科学院園芸研究所/蔬菜種質与品種創新四川省重点実験室,四川成都610066;農業部西南地区園芸作物生物学与種質創制重点実験室,四川成都610066) ,  Tang Li (四川省農業科学院園芸研究所/蔬菜種質与品種創新四川省重点実験室,四川成都610066;農業部西南地区園芸作物生物学与種質創制重点実験室,四川成都610066) ,  Li Yuejian (農業部西南地区園芸作物生物学与種質創制重点実験室,四川成都610066)
資料名： Xinan Nongye Xuebao  (Xinan Nongye Xuebao)
巻： 33  号： 12  ページ： 2897-2904  発行年： 2020年 
JST資料番号： C3020A  ISSN： 1001-4829  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 【目的】本研究は,Cdストレス下のトマト葉の光化学系II電子伝達に及ぼすSi施用の影響を研究し,低Si吸収作物のトマト栽培におけるケイ素肥料の合理的施用とカドミウム汚染防止のための理論的基礎を提供した。[方法]「耐裂王」トマトを材料とし、ポット栽培法を用いて異なるCd含有量の土壌を模擬し、異なる濃度のSi溶液を散布し、Dual-PAM-100二重チャンネル蛍光測定装置を用いて、PSIIの高速クロロフィル蛍光誘導動力学特性を測定した。【結果】カドミウムストレスは,クロロフィル蛍光誘導動力学曲線の変化をもたらし,最小蛍光値(Fo)とK相の相対可変蛍光(Vk)は有意に増加した。Siを散布すると、Cdストレス下のトマト葉のFoとVkを下げることができる。カドミウムストレスは,単位反応中心に吸収された光エネルギー(ABS/RC),捕獲された光エネルギー(TRo/RC)および熱散逸のエネルギー(DIo/RC)を増加させ,単位反応中心の伝達エネルギー(ETo/RC)を低下させる。PSIIの最大電子伝達速度(ETRmax)と光合成性能(PIabs)は、トマト葉の光合成機構完全性が破壊され、単位PSII反応中心数量が変化し、PSII供与、受容体側が毒害を受け、光合成電子伝達を抑制する。トマト葉のABS/RC,TRo/RC,およびDIo/RCは,Siの散布によって減少し,ETo/RC,PSIIおよびPSIのETRmax,最小飽和強度(Ik)およびPIabsは増加した。[結論]SiはCdストレス下のトマト葉の光合成システムの構造と機能を安定させ、Cdストレスのトマト葉の光合成性能に対する抑制を緩和できる。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 蛍光 ,  *カドミウム ,  *ケイ素 ,  光合成 ,  受容体 ,  *トマト ,  蛍光測定 ,  栽培 ,  *葉面散布 ,  光化学系II
準シソーラス用語： *電子伝達 ,  クロロフィル蛍光 ,  光エネルギー ,  ポット栽培 ,  カドミウム汚染 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 植物生理学一般  (EH02010Y) ,  光合成  (EB10020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 葉 ,  PSII ,  電子伝達 ,  葉面散布 ,  ケイ素