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J-GLOBAL ID：202102273530210737   整理番号：21A2894958

ポリメタクリル酸メチルにおける電子挙動のq-Gauss解析【JST・京大機械翻訳】

q-Gaussian analysis of the electronic behavior in polymethylmetacrylate

著者 (3件)： Cigdem Yalcin G. (Department of Physics, Istanbul University, 34134 Vezneciler, Istanbul, Turkey) ,  Skarlatos Yani (Department of Physics, Bogazici University, 34342 Bebek, Istanbul, Turkey) ,  Gediz Akdeniz K. (Department of Physics, Istanbul University, 34134 Vezneciler, Istanbul, Turkey)
資料名： Chaos, Solitons & Fractals  (Chaos, Solitons & Fractals)
巻： 57  ページ： 73-78  発行年： 2013年 
JST資料番号： W0310A  ISSN： 0960-0779  CODEN： CSFOEH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリメタクリル酸メチル(PMMA)薄膜の電気伝導率の挙動をq-Gauss分析で調べた。この効果に対して,295K,303Kおよび313K温度の電場に曝したときのAl-PMMA-Al薄膜過渡電流データの時間発展を考察した。そして,確率密度関数の適合長尾q-Gauss曲線を通常のGauss分布と比較した。q指数フィットは,通常のGauss分布よりも実験データと良く一致した。さらに,温度パラメータが上がると,q値が減少することが示された。q値が系の相関の程度を示すと考えられる範囲に対して,この結果はq値が減少するとPMMA原子間の相関が減少することを確認した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  電気伝導率 ,  正規分布 ,  *ポリメタクリル酸メチル ,  時間発展 ,  確率密度関数

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポリメタクリル酸メチル ,  電子 ,  挙動 ,  解析