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J-GLOBAL ID：202102274204258795   整理番号：21A0165784

トンネルFETキャリブレーション問題:Sentaurus対Silvaco TCAD【JST・京大機械翻訳】

Tunneling FET Calibration Issues: Sentaurus vs. Silvaco TCAD

著者 (7件)： Nabil Amira (Department of and Electronics and Electrical Communications, Faculty of Engineering, Ain Shams University, 11517 Cairo, Egypt) ,  Nabil Amira (Department of and Electronics and Electrical Communications, Higher Institute for Engineering and Technology, Fifth settlement, New Cairo, Egypt) ,  Shaker Ahmed (Department of Engineering Physics and Mathematics, Faculty of Engineering, Ain Shams University, 11517 Cairo, Egypt) ,  Abouelatta Mohamed (Department of and Electronics and Electrical Communications, Faculty of Engineering, Ain Shams University, 11517 Cairo, Egypt) ,  Ragai Hani (Department of and Electronics and Electrical Communications, Faculty of Engineering, Ain Shams University, 11517 Cairo, Egypt) ,  Gontrand Christian (INL-INSA Lyon, Universite de Lyon, 7 avenue Jean Capelle 69621 Villeurbanne, France) ,  Gontrand Christian (IEP, INSA- Fes, Universite Euro-mediterraneenne de Fes, Marocco)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1710  号： 1  ページ： 012003 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,2つのTCADシミュレータ,SentaurusおよびSilvaco TCADを用いたTFETシミュレーションの包括的比較を提示した。この比較は,構造形状または材料の観点から,TFET設計およびシミュレーションのためのフレームワークを証明した。Sentaurus TCADに対して,動的非局所BTBTモデルを,文献から取得した実験データまたは完全量子データに対する良好なキャリブレーションを証明したので,すべてのシミュレーションに対して使用した。BTBTモデルのパラメータを,任意の設計または構造キャリブレーションに直接使用できる異なる材料およびヘテロ接合構造に対して決定した。Silvacoシミュレータのために,非局所BTBTモデルをキャリブレーションのために利用し,そのパラメータも提供した。本研究は,キャリブレーション困難に含まれない種々の材料を利用して,直接使用する迅速なパラメータデータを提供した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  シミュレーション ,  *シミュレータ
準シソーラス用語： *TCAD ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネルFET ,  キャリブレーション ,  TCAD