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J-GLOBAL ID：202102274421654937   整理番号：21A0343674

促進可視赤外光検出のための3D Dirac半金属Cd_3As_2/CuPcヘテロ接合【JST・京大機械翻訳】

3D Dirac semimetal Cd₃As₂/CuPc heterojunction for promoted visible-infrared photo-detection

著者 (10件)： Zhang Xingchao (School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Pan Rui (School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Yang Yunkun (State Key Laboratory of Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Liu Xianchao (School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Han Jiayue (School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Zhou Hongxi (School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Gou Jun (School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Xiu Faxian (State Key Laboratory of Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Wang Jun (School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Wang Jun (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 111  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,三次元(3D)トポロジーDirac/Weyl半金属の発見により,光検出器のネオテリック型に対する新しいフロンティア分野が開かれた。最も代表的な3D Dirac半金属として,カドミウムアルセニド(Cd_3As_2)はグラフェンを越えて超高電荷移動を持ち,強い光と物質相互作用を有する。ここでは,マイクロナノメートルスケールのCd_3As_2に基づく光検出器プロトタイプを開発し,それは1mVの僅かなバイアスの下でも高い光電流応答を有し,その応答性は808nmの近赤外波帯で4.65A/Wに達することができた。さらに,Cd_3As_2/CuPcヘテロ接合を,光電検出性能を効果的に改善するDirac半金属Cd_3A_2ナノベルトの暗電流を抑制するためにさらに導入した。予想されたように,Cd_3As_2/CuPcの応答性(R)は,可視(405nm)から近赤外(980nm)領域まで著しく増強され,検出器の最大Rと最適検出性(D*)は,808nmレーザの照射下で,それぞれ,約142.5A/Wと7.83×1010Jonesに達することができた。すべての結果は,3D Dirac半金属Cd_3As_2とそのヘテロ接合設計が,高性能広帯域検出デバイスで適用される大きな展望であることを示した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  位相幾何学 ,  *赤外線 ,  相互作用 ,  電荷移動 ,  光検出器 ,  応答特性 ,  暗電流 ,  近赤外線 ,  *半金属 ,  *三次元 ,  広帯域 ,  グラフェン
準シソーラス用語： ナノベルト ,  電流応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cd_3As_2 ,  三次元Dirac半金属 ,  光検出器 ,  ヘテロ接合

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 促進 ,  赤外光 ,  3D ,  Dirac半金属 ,  CuPc ,  ヘテロ接合