抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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インターコネクトは,特に,内部および外部の両方で,より多くの金属層を有する先進プロセスノードで,製造プロセスにおける最も困難なステップの1つである。Cuダマシンプロセスは相互接続形成のためのIC産業のBEOLに広く適用され,一方,従来のCu電気化学堆積(ECD)アプローチは包装領域における標準プロセスフローである。従来のCu ECPは低コストであるが,ライン/スペースの幅に制限があり,プロセスコストがより小さなピッチで劇的に増加する。同時に,ライン/スペースの収縮は,デバイス密度増加によって防止できなかった。Cuダマシンプロセスは,サブミクロン線/空間を容易に達成することができ,先進半導体チップ製造のための主要な相互接続技術である。伝統的なプロセスでは,溝と誘電体層を通して,銅のECDによって充填され,その後,ウエハの分野からの金属の除去のために化学機械平坦化(CMP)が可能で,CMPはダマシン技術における銅の使用のための可能な技術である。それは,最も重要で広く普及するプロセスのひとつであり,また,非常に高価なものでもある。この応用と類似のプロセスシーケンスのために,金属を選択的方法で堆積でき,主にブランケット層を堆積する従来の非効率アプローチに従うよりも興味深い特徴に焦点を絞って,実質的な節約が可能である。いくつかのタイプのメタライゼーション応用に対して,選択的堆積(電気メッキ(R))のための新しい方法を開発した。この技術は,ウエハまたは基板のフィールド領域の選択的化学修飾(SCM)に基づいており,Cu二重ダマシンのようなフィルベース統合,あるいは広い導電性ラインのメッキのような付加的プロセスのいずれかに実装できる。いずれの統合においても,選択的堆積の主な利点は,金属を所望の特徴間の領域に堆積させることであり,従って,次の段階で過剰なバルクを除去する必要性を排除することである。コスト節減を2つの方法で実現した。1)金属はめっき浴から消費され,浴寿命を延ばし,平均堆積コストを低下させ,そして2)実質的に少ないバルク金属は,研磨時間やエッチング時間を低下させるサブトラクティブステップで除去しなければならない。これはスループットを改善し,さらにコストを低減する。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
