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J-GLOBAL ID：202102275055467976   整理番号：21A0834584

安定低電圧ソリューションを用いてプロセス処理された有機電界効果トランジスタ

Stable Low Voltage Solution Processed Organic Field Effect Transistors

著者 (5件)： GUO Xiaojun (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  TANG Wei (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHAO Jiaqing (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  LI Qiaofeng (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  FENG Linrun (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM)  (Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM))
巻： 24th  ページ： ROMBUNNO.AMD5-1  発行年： 2017年12月05日 
JST資料番号： L4269B  ISSN： 1883-2504  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・低電圧OFET(有機電界効果トランジスタ)を実現するための2つの方式について比較検討。
・2つの方式のうち,1つは低k/高kゲート絶縁膜を使用するもので,もう1つは,チャネルのサブギャップDOS(状態密度)を低減するもの。
・両タイプのデバイスについて,優れたバイアスストレス安定性を達成するメカニズムを検討。
・低電圧OFETのバッテリ使用電子センサシステムへの応用により,低電圧OFETの様々なセンサへの応用可能性を実証。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  安定性 ,  ゲート絶縁膜 ,  状態密度
準シソーラス用語： *OFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• X. Guo, et al., “Current Status and Opportunities of Organic Thin-Film Transistor Technologies” IEEE Tran. Elec. Dev., Vol. 64, No. 5, pp. 1906-1921(2017).
• H. Sirringhaus, ′′Reliability of Organic Field-effect Transistors,′′ Adv. Mater., Vol. 21, No. 38-39, pp.3859-3873 (2009).
• W. Tang, J. Li, J. Zhao, W. Zhang, F. Yan, and X. Guo, ′′High-performance Solution-processed Low-voltage Polymer Thin-film Transistors with Low-k/high-k Bilayer Gate Dielectric,′′ IEEE Electron Device Lett., Vol. 36, No. 9, pp. 950-952 (2015).
• L. Feng, W. Tang, X. Xu, Q. Cui, and X. Guo, ′′Ultralow-voltage Solution-processed Organic Transistors with Small Gate Dielectric Capacitance,′′ IEEE Electron Device Lett., Vol. 34, No.1, pp.129-131 (2013).
• L. Feng, et al., ′′Unencapsulated Air-stable Organic Field Effect Transistor by All Solution Processes for Low Power Vapor Sensing,′′ Sci. Rep., Vol. 6, pp.20671 (2016).

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電圧 ,  ソリューション ,  プロセス ,  有機電界効果トランジスタ