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J-GLOBAL ID：202102275147718548   整理番号：21A1493594

「FA1B00N」第4世代臨界導電モード力率補正制御IC

”FA1B00N” 4th-Generation Critical Conduction Mode Power Factor Correction Control IC

著者 (3件)： HIASA Nobuyuki (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  ENDO Yuta (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  YAGUCHI Yukihiro (Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 66  号： 4  ページ： 231-236  発行年： 2020年12月30日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子デバイスはより小さく且つより軽くなり,スイッチング電源はより広く利用されるようになり,電力供給コストの低減しながら長寿命,低価格,高信頼性を有する,LED照明のような電子デバイスを助ける為に必要である。これらの要求を満たすために,富士電機は,「FA1B00N」4世代臨界導電モード(CRM)力率補正(PFC)制御ICを開発した。従来モデルの機能に加えて,本ICはPFC出力電圧と過電圧のためのより高い精度での検出と同様に,起動時オーバーシュート低減と他の保護機能を特徴とする。これらの強化は,電子機器の信頼性を改善し,電力供給コストを削減することを可能にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *臨界 ,  *導電性 ,  *補正 ,  *制御 ,  *集積回路 ,  固体素子 ,  スイッチングレギュレータ ,  LED照明 ,  電圧 ,  過電圧 ,  オーバシュート ,  信頼性 ,  電力供給
準シソーラス用語： *力率補正 ,  電子デバイス ,  出力電圧

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (2件)：

• Hiasa, N. et al. ′′FA1B00 Series′′ 4th-Generation Critical Conduction Mode, Power Factor Correction Control ICs. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2018, vol.64, no.4, p.205-210.
• Sugawara, T. et al. 3rd-Gen. Critical Mode PFC Control IC ′′FA1A00 Series′′. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2014, vol.60, no.4, p.233-237.

タイトルに関連する用語 (4件)： 世代 ,  臨界 ,  力率補正 ,  IC