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J-GLOBAL ID：202102275341481613   整理番号：21A1781788

低電源電圧の30Gbps 1.25pJ/b CMOS受信機アナログフロントエンド

A 30Gbps 1.25pJ/b CMOS receiver analog front-end with low supply voltage

著者 (4件)： Zhou Gaolei (Dept. of Electrical and Information Engineering, Tianjin University) ,  Mao Luhong (Dept. of Electrical and Information Engineering, Tianjin University) ,  Xie Sheng (Dept. of Microelectronics, Tianjin University) ,  Min Chuang (Dept. of Microelectronics, Tianjin University)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 18  号： 8  ページ： 20210114(J-STAGE)  発行年： 2021年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,主にアクティブ電圧-電流フィードバックトランスインピーダンス増幅器(AVCF-TIA)と交互アクティブフィードバック制限増幅器(LA)から成る30Gbps1.25pJ/b光受信機アナログフロントエンド(Rx_AFE)を示した。提案したTIAにおけるアクティブ電圧-電流フィードバック技術を採用することによって,大きな入力キャパシタンスを,低電源電圧の制限なしで十分に分離して,トランスインピーダンス利得と出力極周波数の間の直接的矛盾を著しく軽減した。一方,帯域幅は,LA設計において交互アクティブフィードバック技術を採用することによってさらに拡張される。40nmバルクCMOS技術で製作したので,提示したRx_AFEは,63.8dBΩのトランスインピーダンス利得と24.3GHzの3dB帯域幅を示した。1.0Vの電源電圧から,30Gbps PRBSが動作したとき,回路の電力消費と電力効率は,それぞれ37.5mWと1.25pJ/bであった。コア回路は920μm×690μmのチップ面積を占める。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *CMOS ,  *受信機 ,  *アナログ回路 ,  フィードバック制御 ,  増幅器 ,  電圧 ,  電力消費 ,  電力効率 ,  インピーダンス
準シソーラス用語： アクティブフィードバック ,  *アナログフロントエンド ,  トランスインピーダンス ,  トランスインピーダンス増幅器 ,  *光受信機 ,  制限増幅器 ,  電源電圧

著者キーワード (6件)： 光受信機 ,  トランスインピーダンス増幅器(TIA) ,  能動電圧-電流フィードバック ,  スタガードアクティブフィードバック ,  制限増幅器(LA) ,  CMOS

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

引用文献 (32件)：

• [1] A. Awny, et al.: “A 40Gb/s monolithically integrated linear photonic receiver in a 0.25μm BiCMOS SiGe:C technology,” IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 25 (2015) (DOI: 10.1109/lmwc.2015.2430615).
• [2] R.Y. Chen and Z.-Y. Yang: “CMOS transimpedance amplifier for gigabit-per-second optical wireless communications,” IEEE Trans. Circuits Syst. II, Exp. Briefs 63 (2016) (DOI: 10.1109/tcsii.2015.2505264).
• [3] P.-C. Chiang, et al.: “4×25Gb/s transceiver with optical front-end for 100GbE system in 65Nm CMOS technology,” IEEE J. Solid-State Circuits 50 (2015) (DOI: 10.1109/jssc.2014.2365700).
• [4] C. Li and S. Palermo: “A low-power 26-Ghz transformer-based regulated cascode SiGe BiCMOS transimpedance amplifier,” IEEE J. Solid-State Circuits 48 (2013) (DOI: 10.1109/jssc.2013.2245059).
• [5] C.-F. Liao and S.-I. Liu: “40Gb/s transimpedance-AGC amplifier and CDR circuit for broadband data receivers in 90Nm CMOS,” IEEE J. Solid-State Circuits 43 (2008) (DOI: 10.1109/jssc.2007.916626).

タイトルに関連する用語 (4件)： 電源電圧 ,  CMOS ,  受信機 ,  アナログフロントエンド