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J-GLOBAL ID:202102275382148200   整理番号:21A3275970

ACゲート応力下の炭化ケイ素パワーMOSFETのBias温度不安定性【JST・京大機械翻訳】

Bias Temperature Instability of Silicon Carbide Power MOSFET Under AC Gate Stresses
著者 (10件):
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巻: 37  号:ページ: 1998-2008  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0211B  ISSN: 0885-8993  CODEN: ITPEE8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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炭化ケイ素パワーMOSFETの応用の増加に伴い,信頼性問題に対してより多くの注意が払われており,その中でゲート閾値電圧の長期安定性が最も重要である。本論文では,異なるデューティ比およびオフ状態ゲート電圧を有するacゲート応力の下での閾値電圧不安定性を調べるために,実験室実験を行った。オフ状態ゲート電圧がデバイス製作プロセスに関連する臨界負バイアス電圧(より高い)内にある限り,バイポーラゲート応力でも顕著なドリフトは起こらないことが分かった。さらに,ゲート電圧スイングだけでなくゲート電圧極性も,それが発生するとき,閾値電圧ドリフトの速度に影響を及ぼす。この知見はデバイス応用における潜在的閾値電圧ドリフトのより良い理解と管理を意図している。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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