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J-GLOBAL ID：202102275594333484   整理番号：21A0133650

示差3ω法による単結晶Bi₂Te₃ナノプレート膜の界面熱抵抗と熱伝導率の測定

Measurement of thermal boundary resistance and thermal conductivity of single-crystalline Bi₂Te₃ nanoplate films by differential 3ω method

著者 (6件)： MORI Ryotaro (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  NORIMASA Oga (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  KUROKAWA Takuya (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  TANAKA Saburo (Nihon Univ., Fukushima, JPN) ,  MIYAZAKI Koji (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  TAKASHIRI Masayuki (Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 3  ページ： 035501.1-035501.5  発行年： 2020年03月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・本研究では,ソルボサーマル合成法を用いて単結晶Bi₂Te₃3ナノプレートを作製。
・厚さの異なるナノプレート膜をドロップキャスト法で作製し,その後,熱アニールを行ってナノプレート同士を接合。
・薄膜の界面熱抵抗(TBR)と熱伝導率を示差3Ω法により測定。
・ナノプレート膜-基板界面のTBRは2.7×10^-6m²KW^-1,ナノプレートフィルムの熱伝導率は1.57±0.11Wm^-1K^-1と推定。
・結論として,ナノプレートフィルムを使用することで,材料の熱電性能を大幅に向上させることができることが判明。

シソーラス用語： 熱的測定 ,  単結晶 ,  *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *ナノ構造 ,  熱抵抗 ,  熱伝導率 ,  化学合成 ,  焼なまし ,  接合 ,  塗布 ,  *電気特性
準シソーラス用語： 3ω法 ,  *テルル化ビスマス ,  *ナノプレート ,  界面熱抵抗 ,  ソルボサーマル合成 ,  アニール処理 ,  ドロップキャスト ,  *熱電特性

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3ω法 ,  単結晶 ,  ナノプレート ,  界面熱抵抗 ,  熱伝導率