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J-GLOBAL ID：202102275684371334   整理番号：21A2037329

光起電力電池の効率改善によるシリコンの電気的パラメータに及ぼす基板タイプと注入イオンの線量の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Substrate Type and Dose of Implanted Ions on the Electrical Parameters of Silicon in Terms of Improving the Efficiency of Photovoltaic Cells

著者 (4件)： Wegierek Pawel (Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Lublin University of Technology, Nadbystrzycka 38 A, 20-618 Lublin, Poland) ,  Pastuszak Justyna (Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Lublin University of Technology, Nadbystrzycka 38 A, 20-618 Lublin, Poland) ,  Dziadosz Kamil (Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Lublin University of Technology, Nadbystrzycka 38 A, 20-618 Lublin, Poland) ,  Turek Marcin (Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University in Lublin, pl. M.Curie-Sklodowskiej 1, 20-031 Lublin, Poland)
資料名： Energies (Web)  (Energies (Web))
巻： 13  号： 24  ページ： 6708  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7016A  ISSN： 1996-1073  CODEN： ENERGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の主目的は,そのベースで作製された光起電力電池の効率の改善に関して,イオン注入による付加的エネルギーレベルの生成の可能性のために,イオンの線量と基板ドーピングのタイプに依存して,ネオンイオンを注入したシリコンの電気的性質の比較分析を行うことであった。本論文は,ホウ素とリンをドープしたシリコン試料の静電容量とコンダクタンスに関する研究結果を示し,その構造を,エネルギーE=100keVと種々の線量のNe+イオンによる注入プロセスで修正した。試料Ta=298K,473K,598K,673K,873Kの焼なまし温度で記録した電気的性質の変化の解析は,試験温度が203Kから373Kの範囲で,また周波数fが100Hzから10MHz,電圧Uが0.25Vから2Vに及んでいた。試験した試料中の中間バンドを検出し,活性化エネルギー値を推定することによりバンドギャップ中の位置を決定した。注入によって,シリコンエネルギーギャップの幅を修正することができ,その値は,そのベースで作られる光起電力電池の効率に直接影響する。シリコン結晶格子に適切な欠陥を導入することによって,エネルギーギャップE_gの値の変化に寄与し,太陽電池の効率を増加させることが可能である。得られた結果に基づいて,最高の活性化エネルギーがリンをドープした試料で達成された。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  活性化エネルギー ,  太陽電池 ,  電圧 ,  *効率化 ,  *ケイ素 ,  ネオン ,  ホウ素 ,  リン ,  イオン注入 ,  ドーピング ,  静電容量 ,  *放射線量 ,  バンドギャップ ,  コンダクタンス

著者キーワード (6件)： 中間バンド太陽電池 ,  イオン注入 ,  太陽電池効率 ,  欠陥 ,  シリコンの電気パラメータ ,  活性化エネルギー

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (40件)：

• Partyka, J.; Zukowski, P.; Wegierek, P.; Rodzik, A.; Sidorenko, Y.V.; Shostak, Y.A. Temperature dependence of the width of the deep-level band in silicon with a high concentration of defects. Semiconductors 2002, 36, 132-1331.
• Wegierek, P.; Billewicz, P. Changes in the Activation Energy of Radiation Defects in Strongly Defected Silicon Depending on the Type and Concentration of Dopant. Acta Phys. Pol. A 2014, 125, 1392-1395.
• Wegierek, P.; Billewicz, P. Research on Mechanisms of Electric Conduction in the p-Type Silicon Implanted with Ne+ Ions. Acta Phys. Pol. A 2013, 123, 948-951.
• Zinchuk, O.; Drozdov, N.; Fedotov, A.; Mazanik, A.; Krekotsen, N.; Ukhov, V.; Partyka, J.; Wegierek, P.; Koltunowicz, T. Effect of the hydrogen and argon ion-beam treatments on the structural and electrical properties of Cz Si wafers: Comparative study. Vacuum 2009, 83, 99-102.
• Azzouzi, G.; Tazibt, W. Improving silicon solar cell efficiency by using the impurity photovoltaic effect. Energy Procedia 2013, 41, 40-49.

タイトルに関連する用語 (8件)： 光起電力電池 ,  効率改善 ,  シリコン ,  パラメータ ,  タイプ ,  注入 ,  イオン ,  線量