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J-GLOBAL ID：202102275943507572   整理番号：21A1493598

第2世代SiC-SBD

2nd-Generation SiC-SBD

著者 (3件)： HASHIZUME Yuichi (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  UCHIDA Takafumi (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  OSE Naoyuki (Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 66  号： 4  ページ： 250-252  発行年： 2020年12月30日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・富士電機は,SiC-SBD,平面ゲートMOSFET,およびトレンチゲートMOSFETを大量生産し,太陽光発電等に使用されるインバータのPCSに使用。
・本稿では,第1世代SiC-SBDと比較して,特性と前方サージ耐量能力を備えた第2世代SiC-SBDについて説明。

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  MOSFET ,  インバータ ,  電力変換器 ,  電気サージ ,  許容量
準シソーラス用語： *SiC-SBD ,  PCS【電力】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (12件)：

• Kimoto, T. Cooper, James A. Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications.
• Oshima, M. et al. Mega Solar PCS Incorporating All-SiC Module ′′PVI1000 AJ-3/1000′′. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2015, vol.61, no.1, p.11-16.
• Nakamura, H. et al. All-SiC Module Packaging Technology. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2015, vol.61, no.4, p.224-227.
• Chonabayashi, M. et al. All-SiC 2-in-1 Module. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2016, vol.62, no.4, p.222-226.
• Nakazawa, M. et al. All-SiC Modules Equipped with SiC Trench Gate MOSFETs. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2017, vol.63, no.4, p.204-208.

タイトルに関連する用語 (3件)： 世代 ,  SiC ,  SBD