文献

J-GLOBAL ID：202102276359832316   整理番号：21A2168829

ナノ秒,ピコ秒およびフェムト秒レーザアブレーションにより蒸着したGe-Sb-Teカルコゲナイド薄膜【JST・京大機械翻訳】

Ge-Sb-Te Chalcogenide Thin Films Deposited by Nanosecond, Picosecond, and Femtosecond Laser Ablation

著者 (10件)： Bulai Georgiana (Integrated Centre for Environmental Science Studies in the North-East Development Region-CERNESIM, “Al. I. Cuza” University of Iasi, 700506 Iasi, Romania) ,  Pompilian Oana (Universite de Lille, CNRS, UMR 8523-PhLAM-Physique des Lasers, Atomes et Molecules, CERLA-Centre d’Etudes et de Recherches Lasers et Applications, Lille F-59000, France) ,  Pompilian Oana (National Institute for Lasers, Plasma and Radiation Physics, RO-077125 Magurele-Bucharest, Romania) ,  Gurlui Silviu (Faculty of Physics, “Al. I. Cuza” University of Iasi, 700506 Iasi, Romania) ,  Nemec Petr (Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, 53210 Pardubice, Czech Republic) ,  Nazabal Virginie (Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, 53210 Pardubice, Czech Republic) ,  Nazabal Virginie (Universite de Rennes 1, CNRS, ISCR (Institut des Sciences Chimiques de Rennes)-UMR 6226, F-35000 Rennes, France) ,  Cimpoesu Nicanor (Faculty of Materials Science and Engineering, “Gheorghe Asachi” Technical University of Iasi, 700050 Iasi, Romania) ,  Chazallon Bertrand (Universite de Lille, CNRS, UMR 8523-PhLAM-Physique des Lasers, Atomes et Molecules, CERLA-Centre d’Etudes et de Recherches Lasers et Applications, Lille F-59000, France) ,  Focsa Cristian (Universite de Lille, CNRS, UMR 8523-PhLAM-Physique des Lasers, Atomes et Molecules, CERLA-Centre d’Etudes et de Recherches Lasers et Applications, Lille F-59000, France)
資料名： Nanomaterials (Web)  (Nanomaterials (Web))
巻： 9  号： 5  ページ： 676  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7252A  ISSN： 2079-4991  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge-Sb-Te薄膜を種々の実験条件でns-,ps-およびfs-パルスレーザー蒸着(PLD)により得た。試料の厚さはNd-YAGレーザ波長,フルエンス,ターゲット対基板距離,および堆積時間に影響された。トポグラフィーと化学分析の結果は,ns-PLDによって堆積した膜が,Te濃度とSb過剰化学量論の減少と共に,表面上の液滴を明らかにした。公称値に近い改善された表面粗さと化学組成を有する薄膜をps-とfs-PLDにより堆積した。X線回折とRaman分光法の結果から,nsパルスで得られた試料は部分的に結晶化し,一方,ps-とfs-PLDで用いる低フルエンスは非晶質堆積をもたらした。ns-PLD試料の光学パラメータをそれらの構造特性と関連付けた。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  液滴 ,  化学組成 ,  結晶化 ,  *薄膜 ,  *テルル ,  非晶質 ,  化学量論 ,  *カルコゲン化物 ,  パルス ,  *薄膜成長 ,  構造特性 ,  Raman分光法 ,  フルエンス ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *フェムト秒レーザアブレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： パルスレーザ蒸着 ,  カルコゲナイド薄膜 ,  Raman分光法 ,  分光偏光解析法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (50件)：

• Yamada, N.; Ohno, E.; Akahira, N.; Nishiuchi, K.; Nagata, K.; Takao, M. High Speed Overwritable Phase Change Optical Disk Material. Jpn. J. Appl. Phys. 1987, 26, 61-66.
• Wang, L.; Yang, C.; Wen, J.; Xiong, B. Amorphization Optimization of Ge2Sb2Te5 Media for Electrical Probe Memory Applications. Nanometer 2018, 8, 368.
• Kolobov, A.V.; Fons, P.; Tominaga, J.; Frenkel, A.I.; Ankudinov, A.L.; Yannopoulos, S.N.; Andrikopoulos, K.S.; Uruga, T. Why Phase-Change Media Are Fast and Stable: A New Approach to an Old Problem. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 3345-3349.
• Kolobov, A.V.; Fons, P.; Tominaga, J.; Uruga, T. Why DVDs work the way they do: The nanometer-scale mechanism of phase change in Ge-Sb-Te alloys. J. Non-Cryst. Solids 2006, 352, 1612-1615.
• Kolobov, A.V.; Tominaga, J. Metastability and Phase Change Phenomena. In Chalcogenides; Springer: Berlin/Heidelberg, Germany, 2012.

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノ秒 ,  ピコ秒 ,  フェムト秒レーザアブレーション ,  蒸着 ,  Ge ,  Sb ,  Te ,  カルコゲナイド ,  薄膜