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J-GLOBAL ID：202102276979801613   整理番号：21A1747480

オプトエレクトロニクスデバイス応用のための水熱成長リンドープZnOナノロッドの構造的,電気的および光学的特性のマッピング【JST・京大機械翻訳】

Mapping the structural, electrical, and optical properties of hydrothermally grown phosphorus-doped ZnO nanorods for optoelectronic device applications

著者 (7件)： Siva Vantari (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea) ,  Park Kwangwook (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, Republic of Korea) ,  Kim Min Seok (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea) ,  Kim Yeong Jae (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea) ,  Lee Gil Ju (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea) ,  Kim Min Jung (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea) ,  Song Young Min (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 14  号： 1  ページ： 1-9  発行年： 2019年 
JST資料番号： U8336A  ISSN： 1556-276X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リンドープZnOナノロッドを水熱プロセスを用いて調製し,その構造変化をX線回折を用いて調べた。ナノロッドの長さと直径のドーパント濃度依存増強はZnOナノロッド中のリンドーピングを確立した。キャリア濃度およびHall係数の変化から観察されるように,伝導率の型における緩やかな変態は,リンドーピングをさらに確認した。リンドーピングによるZnOナノロッド中のキャリア濃度の修飾を,リンの両性特性に基づいて理解した。リン不在下でのZnOナノロッドは,紫外(UV)と可視領域の範囲で光ルミネセンス(PL)を示した。UV発光,すなわちZnOのバンド端近傍発光はリンのドーピング後に赤方偏移し,これはドナー-アクセプタ対形成に起因した。可視域で観測された発光は,ZnOの様々な欠陥から発生した深い準位発光によるものであった。AlドープZnOシード層は観測した近赤外(NIR)発光の原因であることが分かった。UVおよび可視領域におけるPL発光は,生物学的から光電子デバイスへの広範囲の応用をカバーすることができる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  アクセプタ ,  ドナー ,  発光 ,  光ルミネセンス ,  *リン ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  近赤外線 ,  キャリア密度 ,  ドーパント ,  深い準位 ,  *ナノロッド
準シソーラス用語： 可視領域 ,  シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (49件)：

• Prog Quantum Electron; ZnO nanostructures for optoelectronics: material properties and device applications; AB Djurišić, AMC Ng, XY Chen; 34; 2010; 191-259; 10.1016/j.pquantelec.2010.04.001; citation_id=CR1
• Nat Nanotech; Electrically pumped waveguide lasing from ZnO nanowires; S Chu, G Wang, W Zhou, Y Lin, L Chernyak, J Zhao, J Kong, L Li, J Ren, J Liu; 6; 2011; 506-510; 10.1038/nnano.2011.97; citation_id=CR2
• Chem Mater; Tunable visible photoluminescence from ZnO thin films through Mg doping and annealing; S Fujihara, Y Ogawa, A Kasai; 16; 2004; 2965-2968; 10.1021/cm049599i; citation_id=CR3
• J Phys Chem C; ZnO nanobridge array UV photodetectors; SM Peng, YK Su, LW Ji, CZ Wu, WB Cheng, WC Chao; 114; 2010; 3204-3208; 10.1021/jp909299y; citation_id=CR4
• Mat Res Bull; Growth and conduction mechanism of as-doped p-type ZnO thin films deposited by MOCVD; Y Ma, Q Gao, GG Wu, WC Li, FB Gao, JZ Yin, BL Zhang, GT Du; 48; 2013; 1239-1243; 10.1016/j.materresbull.2012.12.035; citation_id=CR5

タイトルに関連する用語 (7件)： オプトエレクトロニクスデバイス ,  応用 ,  水 ,  成長 ,  ZnOナノロッド ,  光学的特性 ,  マッピング