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J-GLOBAL ID:202102277470151715   整理番号:21A1010559

最適化した温度センサ熱量測定パワーデバイス損失測定法【JST・京大機械翻訳】

An Optimized Temperature Sensor Calorimetric Power Device Loss Measurement Method
著者 (4件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 1333  発行年: 2019年 
JST資料番号: U7016A  ISSN: 1996-1073  CODEN: ENERGA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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電力変換器の最適化設計では,電力デバイスの損失解析が重要である。推定方法と比較して,試験の下の回路で直接電力装置損失を測定することは,より正確である。損失測定法は,電気測定と熱量測定の2つのカテゴリーに分けることができる。電気測定結果の精度は,特にSiCデバイスのような高速スイッチングデバイスに対して,測定装置と寄生パラメータの精度に制限される。熱量測定から得た結果はより説得力がある。測定原理に基づき,熱量測定を4つのカテゴリー,即ち,流れ密度測定,温度等価測定,二重ジャケット測定,および温度センサ測定に分けることができる。本論文は,より短い時間消費,より簡単なセットアップ,およびより低いコストを有する最適化温度センサ測定法を提案した。最適化した方法の原理を記述し,その利点を示すために従来の方法と比較した。損失測定と誤差解析を,この方法の精度と実用性を証明するために,SiC&Siハイブリッドモジュールに基づく3レベルANPC(アクティブ中性点クランプ)トポロジー実験プラットフォームで行った。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
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電気自動車 
引用文献 (28件):
  • Ma, J.; Lu, T.; He, F.; Wei, S.; Yuan, L.; Zhao, Z. Power loss analysis and optimization of three-level T-type converter based on hybrid devices. In Proceedings of the International Conference on Renewable Power Generation, Beijing, China, 17-18 October 2016; p. 6.
  • Bilyi, D.; Gerling, D. Modeling of automotive power network for analysis of power electronics and losses calculation and verification by measurements on claw-pole alternator. In Proceedings of the IEEE International Power Electronics and Motion Control Conference, Hefei, China, 22-26 May 2016; pp. 3599-3605.
  • Gottschlich, J.; Kaymak, M.; Christoph, M.; Doncker, R.W.D. A flexible test bench for power semiconductor switching loss measurements. In Proceedings of the IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems, Sydney, NSW, Australia, 9-12 June 2015; pp. 442-448.
  • Xiao, C.; Chen, G.; Odendaal, W.G. Overview of power loss measurement techniques in power electronics systems. IEEE Trans. Ind. Appl. 2007, 43, 657-664.
  • Jon, A.; Christoph, G.; Lukas, S.; Johann W., K. Accurate Calorimetric Switching Loss Measurement for 900 V 10 mΩ SiC MOSFETs. IEEE Trans. Power Electron. 2017, 32, 8963-8968.
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