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J-GLOBAL ID:202102278079806669   整理番号:21A1548056

Znドープ単分子層MoS_2上のホルムアルデヒド分子吸着:第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

Formaldehyde Molecules Adsorption on Zn Doped Monolayer MoS2: A First-Principles Calculation
著者 (11件):
資料名:
巻:ページ: 605311  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7065A  ISSN: 2296-2646  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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密度汎関数理論の第一原理に基づいて,元の単分子層MoS_2とZnドープ単層MoS_2上のH_2COの吸着挙動を研究した。結果は,元の単分子層MoS_2へのH_2COの吸着は非常に弱く,基板の電子構造は吸着後にほとんど変化しないことを示した。Znドープ単層MoS_2の後,新しい種類の表面単一クラスタ触媒が生成し,ZnMo_3小クラスタは,表面が高い選択性を示した。Znドープ単層MoS_2上のH_2COの吸着挙動は2つの状況に分割できる。吸着構造におけるH_2CO分子のH末端が下方にあるとき,吸着エネルギーは0.11と0.15eVだけであり,吸着基質の電子構造はより小さい。H_2CO分子のO-末端が下方になると,H_2COとドープMoS_2間の相互作用は,0.80と0.98eVの吸着エネルギーで化学吸着をもたらす。O-エンドダウン構造では,吸着は明らかにバンドギャップに新しい不純物状態を導入し,元の不純物状態の再分布をもたらす。これらの全てはドープしたMoS_2単分子層の化学的性質の変化をもたらし,吸着したH_2CO分子を検出するために使用できる。結果は,適切なドーパントの導入がMoS_2ガスセンサの性能を改善するための実現可能な方法であることを示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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物理的手法を用いた吸着の研究 
引用文献 (53件):
  • AbbasH. G., DebelaT. T., HussainS., HussainI. (2018). Inorganic molecule (O2, NO) adsorption on nitrogen- and phosphorus-doped MoS2 monolayer using first principle calculations. RSC Adv. 8 (67), 38656-38666. doi: 10.1039/c8ra07638c
  • AbbasiA. (2019). Adsorption of phenol, hydrazine and thiophene on stanene monolayers: a computational investigation. Synth. Met. 247, 26-36. doi: 10.1016/j.synthmet.2018.11.012
  • AbbasiA., SardroodiJ. J. (2018a). Exploration of sensing of nitrogen dioxide and ozone molecules using novel TiO2/Stanene heterostructures employing DFT calculations. Appl. Surf. Sci. 442, 368-381. doi: 10.1016/j.apsusc.2018.02.183
  • AbbasiA., SardroodiJ. J. (2018b). Investigation of the adsorption of ozone molecules on TiO2/WSe2 nanocomposites by DFT computations: applications to gas sensor devices. Appl. Surf. Sci. 436, 27-41. doi: 10.1016/j.apsusc.2017.12.010
  • AbbasiA., SardroodiJ. J. (2019). The adsorption of sulfur trioxide and ozone molecules on stanene nanosheets investigated by DFT: applications to gas sensor devices. Phys. E Low-Dimens. Syst. Nanostruct. 108, 382-390. doi: 10.1016/j.physe.2018.05.004
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