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J-GLOBAL ID：202102278223565860   整理番号：21A0175991

Si(111)基板上に選択成長させた強磁性MnAsナノディスクに適用した磁場に依存する磁化スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Magnetization switching depending on magnetic fields applied to ferromagnetic MnAs nanodisks selectively-grown on Si (111) substrates

著者 (4件)： Horiguchi Ryoma (Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0813, Japan) ,  Hara Shinjiro (Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0813, Japan) ,  Suzuki Kozaburo (Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0813, Japan) ,  Iida Masaya (Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0813, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 12  ページ： 125003-125003-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 選択的領域金属-有機気相エピタキシーにより誘電体SiO_2薄膜マスクパターンで部分的に覆われたSi(111)基板上に選択的に成長したAlGaAsナノピラーバッファ上のMnAsナノディスクにおける磁区構造と磁化スイッチングの印加外部磁場,B,依存性について報告した。磁気力顕微鏡で観察した磁区構造のB依存性に関する結果は,単一磁区の比が4×104nm2またはそれ以下のナノディスクにおいてB=-1.5kGで最小化されるが,しかし,B=-0.5kGで4×104nm2またはそれ以上の面積を有するナノディスクの場合,比の最小値への減少は著しく小さいことを示した。磁化方向の角度分布は,磁化方向が六方晶ナノディスクのリッジ方向に平行である傾向があり,すなわち,六方晶NiAs型結晶構造の磁気容易軸に対応する~60°のステップに分布することを示した。結果は,磁気ドメインと保磁力がMnAsナノディスクサイズを制御することによって調整できることを示した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強磁性 ,  結晶構造 ,  保磁力 ,  *磁場 ,  磁区 ,  磁区構造 ,  薄膜 ,  誘電体 ,  磁気 ,  六方晶系 ,  外部磁場 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  磁気力顕微鏡 ,  *磁化スイッチング
準シソーラス用語： *ナノディスク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  選択成長 ,  強磁性 ,  ナノディスク ,  磁場 ,  磁化スイッチング