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J-GLOBAL ID：202102278227736829   整理番号：21A0468152

CVD成長2DMoS_2に基づく光検出器の光電性能の変化の機構【JST・京大機械翻訳】

A mechanism for the variation in the photoelectric performance of a photodetector based on CVD-grown 2D MoS₂

著者 (5件)： Jian Jiaying (School of Mechanical Engineering, Northwestern Polytechnical University, Baoding 710072, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Chang Honglong ,  Dong Pengfan ,  Bai Zewen ,  Zuo Kangnian
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 11  号： 9  ページ： 5204-5217  発行年： 2021年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属ジカルコゲン化物は,それらの説得力のある性質のため次世代フレキシブルナノエレクトロニクスの有望な候補と考えられている。CVD成長2DMoS_2に基づく光検出器の光電性能を研究した。アニーリング処理は,CVD成長2D MoS_2ベース光検出器の光応答性と比検出性を,それぞれ0.1722AW-1と1014.65Jonesから0.2907AW-1と10144.84Jonesに増大させ,一方,加硫は,それぞれ,0.9013sと2.173sから0.07779sと0.08616sに,上昇応答時間と下降応答時間を減少できた。CVD成長2D MoS_2中のOドーピング濃度を決定する方法を得た。CVD成長2D MoS_2の酸素ドープ状態から純状態への遷移に対する基準を開発した。CVD成長2DMoS_2の光電性能の変化を説明する機構を提案した。CVD成長2DMoS_2およびアニールしたCVD成長2DMoS_2は酸素ドープMoS_2であり,一方,加硫CVD成長2DMoS_2は純粋なMoS_2であった。CVD成長2D MoS_2の光電性能の変化は,Oドーピング濃度とバンドギャップの違いに起因する。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *光検出器 ,  酸素 ,  加硫 ,  ドーピング ,  二次元 ,  応答時間 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 光応答 ,  *光電気 ,  遷移金属ダイカルコゲナイド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： CVD ,  成長 ,  光検出器 ,  光電