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J-GLOBAL ID：202102278244928803   整理番号：21A0065882

海底ケーブル用の半導体層と絶縁層の複合構造の絶縁破壊性能【JST・京大機械翻訳】

Breakdown Performance of Compound Structure of Semi-conductive Layer and Insulating Layer for Submarine Cable

著者 (7件)： Li Guochang (Institute of Advanced Electrical Materials, Qingdao University of Science and Technology,Qingdao,China) ,  Liu Mingyue (Institute of Advanced Electrical Materials, Qingdao University of Science and Technology,Qingdao,China) ,  Li Xuejing (Institute of Advanced Electrical Materials, Qingdao University of Science and Technology,Qingdao,China) ,  Huang Wuhao (State Grid Zhejiang Electric Power Co., Ltd. Research Institute,Hangzhou,China) ,  Li Naiyi (State Grid Zhejiang Electric Power Co., Ltd. Research Institute,Hangzhou,China) ,  Wei Yanhui (Institute of Advanced Electrical Materials, Qingdao University of Science and Technology,Qingdao,China) ,  Lei Qingquan (Institute of Advanced Electrical Materials, Qingdao University of Science and Technology,Qingdao,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICHVE  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 海底送電プロジェクトは,最も複雑で困難な大規模プロジェクトの一つとして認識されている。送電プロジェクトの重要な部分として潜水ケーブルは,その破壊性能は非常に重要であるが,潜水艦ケーブルの破壊性能に関する報告は少ない。本研究では,潜水艦ケーブルのための半導体層と絶縁層の複合構造の破壊性能を研究した。最初に,AC潜水艦ケーブルに使用される半導体層とXLPE絶縁層の複合構造サンプルを,ホットメルト溶接法によって製作し,種々のカーボンブラック(CB)含有量を有する半導体試験片を,実験的比較のために製造した。半導体遮蔽層の形態,抵抗率,および半導体層と絶縁層の破壊強度を別々に測定した。30≦1000°Cの温度範囲で,半導体遮蔽の抵抗は増加し,100°Cで94.2Ω.cmの最大値に達した。さらに,半導体遮蔽層の抵抗率は全体として比較的大きい。走査画像は,潜水艦ケーブルの半導体遮蔽層に大きい炭素ブロックがあることを示した。室温で,半導体層と絶縁層の複合構造の破壊強度は107kV/mmであった。CB/LDPE/EVA半導体層と絶縁層の最大化合物構造破壊強度は111.2kV/mmであった。CB含有量の増加に伴い,CB/LDPE/EVA半導体層と絶縁層の化合物構造の破壊強度は増加する。本研究は,潜水艦ケーブルの故障解析に重要な指針を持つ。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *絶縁破壊 ,  電気抵抗率 ,  *半導体 ,  潜水 ,  炭素 ,  溶接 ,  潜水艦 ,  *ケーブル ,  カーボンブラック ,  故障解析 ,  送電 ,  海底ケーブル ,  破壊強さ ,  海底 ,  *複合構造

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 海底ケーブル ,  半導体層 ,  絶縁層 ,  複合構造 ,  絶縁破壊