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J-GLOBAL ID：202102278310421135   整理番号：21A3314324

第一原理計算を用いたMn_xZn_1-xOスーパーセルの電子および磁気特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Study the electronic and magnetic properties of Mn_xZn_1-xO supercell using first principle calculation

著者 (3件)： Pervez Md Sarwar (Department of Physics, Rajshahi University of Engineering & Technology, Rajshahi, 6204, Bangladesh) ,  Hossain Md Faruk (Department of Physics, Rajshahi University of Engineering & Technology, Rajshahi, 6204, Bangladesh) ,  Nahid M.A.I. (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Rajshahi, Rajshahi, 6205, Bangladesh)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 137  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,種々のマンガン(Mn)濃度におけるMn_xZn_1-xOの電子および磁気特性を第一原理計算を用いて調べた。Mn含有量の0%の計算された平衡格子定数値は,実験値よりわずかに大きいa=3.29Åとc=5.25Åであった。生成エネルギーは,Mn_xZn_1-xOスーパーセルの安定性を示す異なるMn濃度に対して負であり,Mnのパーセンテージで,Mn_xZn_1-xOスーパーセルの安定性を示した。オレイルアミン(U)補正なしで,0%MnでのMn_xZn_1-xOの得られたバンドギャップは0.78eVであり,これは他の理論的報告と整合し,バンドギャップは3.38eVであり,これは実験値と一致する。Mn濃度を上げると振動バンドギャップが得られた。0%から12.5%Mnでは,間接バンドギャップが25%~50%で得られたが,直接バンドギャップが得られた。状態密度(DOS)を計算し,価電子帯中のO-pとZn-d状態および伝導バンド中のMn-dが,異なる濃度でのバンドギャップの減少および増加に寄与することを明らかにした。Mn原子当りの磁気モーメントは5μ_B/Mnであった。スピンアップとスピンダウンのDOS計算は,Mn_xZn_1-xOスーパーセルの強磁性性質を示す非対称を示し,スピン密度分布はMn濃度による磁性の増加を確認した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  格子定数 ,  磁気モーメント ,  スピン密度 ,  *マンガン ,  非対称性 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  状態密度 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： スピンアップ ,  *第一原理計算 ,  間接バンドギャップ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 第一原理計算 ,  平衡格子定数 ,  状態密度(DOS) ,  密度汎関数理論(DFT) ,  バンド構造

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第一原理計算 ,  スーパーセル ,  電子 ,  磁気特性 ,  研究