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J-GLOBAL ID:202102278712536957   整理番号:21A0345944

異なるスパッタリング法によるAl_2O_3(0001)上に成長させたPt層の微細構造の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the microstructure of the Pt layers grown on Al2O3 (0001) by different sputtering methods
著者 (11件):
資料名:
巻: 194  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: B0915A  ISSN: 1359-6462  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高品質エピタキシャルPt膜は,通常,分子ビーム蒸着(MBE)法によって成長し,そこでは,蒸着原子が典型的な熱エネルギーで基板に達する。良好なエピタキシャル成長を得るために,基板は数百から1000度の範囲の高温で保たれた。エピタキシャル品質はより高い基板温度で改善されるが,臨界温度以上では,Volmer-Weber成長モードが始まり,粗い膜形態を引き起こす。ここでは,Al_2O_3(0001)基板上にPtを成長させるために,新しいタイプの対向ターゲットカソード(FTC)を用いた。従来のスパッタリング源とは対照的に,FTC源は低い運動エネルギーを持つ吸着原子を提供するが,MBEに比べて高い成長速度を与える。本研究では,Pt膜の結晶構造を異なる基板温度で比較した。FTCを用いて,低歪の平坦なPt膜およびナノ結晶または高エピタキシャルのいずれかの形態を,基板温度の適切な選択により成長させた。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (4件):
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金属薄膜  ,  磁性材料  ,  酸化物薄膜  ,  金属結晶の磁性 
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