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J-GLOBAL ID：202102279393728738   整理番号：21A0133680

RFマグネトロンスパッタリングで成長した多結晶β-FeSi₂のフォトルミネッセンス特性

Photoluminescence properties of polycrystalline β-FeSi₂ grown by RF magnetron sputtering

著者 (3件)： TERAI Yoshikazu (Kyushu Inst. of Technol., Iizuka, JPN) ,  NISHI Hiroki (Kyushu Inst. of Technol., Iizuka, JPN) ,  OKA Naohiro (Kyushu Inst. of Technol., Iizuka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SF  ページ： SFFC01.1-SFFC01.5  発行年： 2020年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・本研究では,RFマグネトロンスパッタリング法により成長させたβ-FeSi₂薄膜及びSi/β-FeSiSi₂/Siダブルヘテロ(DH)構造試料のPL特性を調査。
・薄膜では,室温(RT)でFZ n-Si基板上に厚さ200nmのドープまたはBドープのFe-Siアモルファス層を成膜。
・RFマグネトロンスパッタリングにより成長させたβ-FeSiFeSi₂多結晶薄膜で,Bドープにより形成されたアクセプターレベルへの正孔捕獲により1.54μmのPL強度が増加したことを報告。
・Si/Bドープのβ-FeSi₂/Si DH構造では,1.54μmのPL強度は,β-FeSi₂の正孔捕獲効果とキャリア閉じ込め効果の両方によって大きく増加。
・PL寿命を調べたところ,Si(111)基板上にSPEを用いて成長させたDH試料は,β-FeSi₂の固有のPLのみが出現。
・また,SPE成長はSiの転位関連のPLを抑制するのに有効であることが判明。

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *多結晶 ,  *光ルミネセンス ,  ヘテロ接合 ,  ケイ素 ,  薄膜 ,  不純物準位 ,  キャリア捕獲 ,  放射強度 ,  効果 ,  固相成長
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  *鉄シリサイド ,  *フォトルミネセンス ,  ダブルヘテロ接合 ,  多結晶薄膜 ,  アクセプタ準位 ,  正孔捕獲 ,  発光強度 ,  閉込め効果 ,  固相エピタキシャル成長

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  成長 ,  多結晶 ,  フォトルミネッセンス