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J-GLOBAL ID：202102279548479839   整理番号：21A0279978

p-i-nダイオードにおける縦光学フォノン-プラズモン結合からのTHz放射の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of THz Radiation from Longitudinal Optical Phonon- Plasmon Coupling in p-i-n Diodes

著者 (1件)： The Nguyen P. ( Department of Natural Sciences, Duy Tan University, 03 Quang Trung Street, Danang City, Vietnam)
資料名： Nanoscience & Nanotechnology Asia  (Nanoscience & Nanotechnology Asia)
巻： 10  号： 6  ページ： 860-867  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3642A  ISSN： 2210-6812  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 不明 (ARE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 背景:室温での赤外線領域におけるテラヘルツ放射(THz)は,科学と技術,特に画像と画像処理の技術において多くの応用がある。本論文は,p-i-nダイオード構造における縦光学(LO)フォノンとコヒーレントプラズモンの結合からのテラヘルツ放射を研究するための比較的簡単な方法を紹介した。このダイオードの絶縁領域における二つの隣接点間の電圧の高速Fourier変換(FFT)から周波数スペクトルを見出した。171.0×10cm-3から183.0×10cm-3までの光励起キャリア密度および500nmの絶縁層サイズを有するGaAs半導体デバイスに対して数値計算を適用した。【方法】:EMCシミュレーションに基づくp-i-nダイオードにおけるLOフォノンの結合を研究するために,密度振動の方程式をキャリア動力学のシミュレーションによって同時に解決し,これを1A°の空間分解能と0.20fsの時間分解能で実行する。Poisson方程式を解き,結合を考慮した場合とない場合の両方の場合のx軸に沿うポテンシャルを導いた。絶縁層(i)で10nmの距離で分離された2層の電圧のFFTから導いた周波数スペクトル。結果:LOフォノン-プラズモン結合の有無での2つの隣接点間の電圧のFourier変換から導いた周波数スペクトルを示した。バルク半導体の周波数値に近いモードの存在を容易に観察できる。著者らの計算は,Phys.Rev.B69(7)075314(2004)において,Ibanzらによって測定される実験と合理的に一致した。結論:本論文では,絶縁半導体領域における2つの隣接点の電圧のFFTを取り入れることにより,p-i-nダイオード構造におけるLOフォノン-プラズモンの結合からのTHz放射を研究するための比較的簡単なアプローチを示した。電圧をPoisson方程式による電荷密度に関連する電位を通して計算した。171.0×10cm-3から183.0×10cm-3までのキャリア密度を持つGaAs半導体デバイスについて数値計算を行った。著者らのシミュレーション計算は,適切な光励起キャリア密度で,2つの強い結合LOフォノン-プラズモンコヒーレントモードが現れることを示した。Copyright 2021 Bentham Science Publishers All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コヒーレンス ,  シミュレーション ,  数値計算 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  電位 ,  半導体 ,  光ポンピング ,  *フォノン ,  *プラズモン ,  ヒ化ガリウム ,  画像処理 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 周波数スペクトル ,  *テラヘルツ放射 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： THz放射 ,  p-i-nダイオード ,  LOフォノン-プラズモン結合 ,  画像 ,  高速Fourier変換(FFT) ,  光励起キャリア密度

分類 (3件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイオード ,  縦光学フォノン ,  プラズモン結合 ,  THz放射 ,  研究