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J-GLOBAL ID：202102280047978825   整理番号：21A0986367

絶縁表面上の薄い半導電層の場合の界面における境界条件【JST・京大機械翻訳】

Boundary conditions at interfaces for the case of thin semi conductive layer on insulating surface

著者 (3件)： Nouir-Masmoudi Haifa (National Institute of Applied Sciences and Technology, MMA Lab University of Cartage,Tunis,Tunisia) ,  Kaddeche Slim (National Institute of Applied Sciences and Technology, MMA Lab University of Cartage,Tunis,Tunisia) ,  Dhahbi-Megriche Nabila (National Institute of Applied Sciences and Technology, MMA Lab University of Cartage,Tunis,Tunisia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： SSD  ページ： 616-620  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の主目的は,電場応力に期待される汚染サブjの薄層で覆われた碍子の場合の界面に沿った界面条件の議論である。絶縁体表面上の汚染の堆積を半導体薄膜として扱い,境界条件を誘電体/導体,誘電体/誘電体,半導体/誘電体,およびデミ伝導/導体の間の界面の場合について記述した。界面での電荷密度は時間とともに変化した。電気誘導ベクトルとMaxwell方程式の違いを含むGauss方程式を用いた。DC高電圧を受ける2D線形絶縁体モデルの場合について,電位分布に及ぼす薄層の表面伝導率と誘電率の影響を調べた。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Maxwell方程式 ,  *界面 ,  電場 ,  薄膜 ,  半導体 ,  半導体薄膜 ,  ベクトル ,  誘電体 ,  誘電率 ,  碍子 ,  *境界条件 ,  電位分布 ,  二次元 ,  導体 ,  絶縁体

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁 ,  半導電層 ,  界面 ,  境界条件