940nm高出力大面積ダイオードレーザにおける改善された横方向輝度のための増強自己整合構造【JST・京大機械翻訳】

Elattar M.; Brox O.; Della Casa P.; Maassdorf A.; Martin D.; Wenzel H.; Knigge A.; Crump P.

文献

J-GLOBAL ID：202102280246651229 整理番号：21A1911460

940nm高出力大面積ダイオードレーザにおける改善された横方向輝度のための増強自己整合構造【JST・京大機械翻訳】

Enhanced self-aligned structure for improved lateral brightness in 940 nm high-power broad-area diode lasers

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 11705 ページ： 117050N-8 発行年： 2021年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

薄いp側を有する極端な三重非対称垂直構造内に実装された,増強された自己整列横方向構造”eSAS”を使用する940nmのGaAsベースの高出力広域ダイオードレーザを示した。この構造では,中間選択エッチングによる2段階エピタキシャル成長を用いて,レーザストライプ外のnドープGaAsとInGaP層から成る電流ブロッキング構造を導入し,その位置,厚さとドーピング濃度を正確に定義した。これらのブロッキング構造はデバイス中心に電流を限定し,その結果,変換効率,出力電力または偏光純度を損なうことなく,エッジにおけるキャリア損失を減らし,ビーム品質に対する横方向電流広がりとキャリア蓄積の有害な影響を制限する。利得誘導参照デバイスと比較して,eSAS単一エミッタと多重エミッタを有するバーの結果を示した。さらに,eSAS構造の実現のために重要な改善された電流ブロッキングを有する最適化ブロッキング構造を実証した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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太陽電池 , 発光素子

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