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J-GLOBAL ID：202102280534271844   整理番号：21A0563032

Kバンド低位相雑音誘導結合VCO【JST・京大機械翻訳】

K-Band Low Phase Noise Inductive Coupled VCO

著者 (4件)： Tajima Naoki (Okayama Prefectural University 111 Kuboki,Graduate School of Computer Science and Systems Engineering,Soja,Japan,719-1197) ,  Komoku Kiyotaka (Okayama Prefectural University 111 Kuboki,Dept. Information and Communication Engineering,Soja,Japan,719-1197) ,  Morishita Takayuki (Okayama Prefectural University 111 Kuboki,Dept. Information and Communication Engineering,Soja,Japan,719-1197) ,  Itoh Nobuyuki (Okayama Prefectural University 111 Kuboki,Dept. Information and Communication Engineering,Soja,Japan,719-1197)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： APMC  ページ： 1110-1112  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,低位相雑音誘導結合電圧制御発振器を検討し,実証した。本研究で,誘導結合VCOの位相雑音を改善するために,インダクタの高結合係数と低寄生抵抗が不可欠であり,さらに,ドレイン側インダクタとゲートサイドインダクタの間の寄生抵抗比の場合,R_G/R_Dは低く,位相雑音は改善されることが分かった。それらを確認するために,異なる結合係数と異なるR_G/R_D比を持つ4つの変圧器を設計し,これらの4つの変圧器を採用したVCOを設計し,製作し,測定した。測定結果では,結合係数と寄生抵抗比の違いにより位相雑音の差を得た。測定結果は,M4対M6+M5+M3のインダクタを用いたVCOが,M4対M6+M5+M3のインダクタが,より低いR_G/R_Dと高い結合係数を持つので,最小位相雑音を示した。VCOの測定した位相雑音は,19.8mWの電力消費で23.5GHzの振動周波数から1MHzオフセットで-103.3dBc/Hzを示した。本研究で用いたプロセス技術はTSMC180nm CMOSである。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 変圧器 ,  電力消費 ,  振動数 ,  結合係数 ,  *電磁結合 ,  VCO【発振器】 ,  *位相雑音 ,  CMOS
準シソーラス用語： 寄生抵抗 ,  *Kバンド ,  *低位相雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Kバンド ,  低位相雑音 ,  誘導結合 ,  VCO