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J-GLOBAL ID：202102280636365265   整理番号：21A0164470

ニューロモルフィックコンピューティングのための高度に制御可能なシリコン互換強誘電体光起電力シナプス【JST・京大機械翻訳】

Highly Controllable and Silicon-Compatible Ferroelectric Photovoltaic Synapses for Neuromorphic Computing

著者 (18件)： Cheng Shengliang (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Cheng Shengliang (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Fan Zhen (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Fan Zhen (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Rao Jingjing (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Hong Lanqing (Department of Industrial Systems Engineering and Management, National University of Singapore, 117576, Singapore) ,  Huang Qicheng (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Tao Ruiqiang (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Hou Zhipeng (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Qin Minghui (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zeng Min (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Lu Xubing (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zhou Guofu (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zhou Guofu (National Center for International Research on Green Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Yuan Guoliang (School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Gao Xingsen (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Liu Jun-Ming (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Liu Jun-Ming (Laboratory of Solid State Microstructures and Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： iScience  (iScience)
巻： 23  号： 12  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5512A  ISSN： 2589-0042  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アナログコンダクタンス変化を誘起するための分極スイッチング(純粋電子スイッチングプロセス)を用いた強誘電シナプスは,かなりの関心を集めている。ここでは,偏光制御光電流を読出しとして使う強誘電性光起電力(FePV)シナプスを提案し,構成強誘電体と電極材料の形と厚さに制限がない。これは,FePVシナプスを容易に作製するだけでなく,脱分極効果を低減し,従って偏光制御性を高める。概念実証実装として,Pt/Pb(Zr_0.2Ti_0.8)O_3/LaNiO_3FePVシナプスをシリコン基板上に容易に成長させ,良好な制御性(小さな非線形性と書き込み雑音)を有する連続光起電力応答変調を,段階的分極スイッチングにより実証した。シナプス重量として光起電力応答を用いて,この装置は,長期増強/抑制およびスパイク刺激依存性可塑性を含む多目的シナプス機能を示す。模擬FePVシナプスベースニューラルネットワークは,画像認識に対して高精度(>93%)を達成した。本研究は,神経形態学的コンピューティングのための高度に制御可能なシリコン適合性シナプスに対する新しい方法を開いた。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  *強誘電体 ,  *光起電力 ,  光電流 ,  雑音 ,  *ケイ素 ,  強誘電性 ,  *シナプス ,  脱分極 ,  電極材料 ,  分極反転 ,  長期増強 ,  画像認識
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  神経形態学 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 回路システム ,  電気工学 ,  半導体製造 ,  材料科学 ,  デバイス

分類 (4件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ニューロモルフィックコンピューティング ,  シリコン ,  強誘電体 ,  光起電力 ,  シナプス