文献

J-GLOBAL ID：202102282385202324   整理番号：21A0877243

8×6インチ惑星MOCVD反応器を用いたVCSEL材料の成長に関するモデリングと実験的研究【JST・京大機械翻訳】

A Modeling and Experimental Study on the Growth of VCSEL Materials Using an 8 × 6 Inch Planetary MOCVD Reactor

著者 (10件)： Gou Yudan (College of Electronics and Information Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Gou Yudan (Key Laboratory of Wireless Power Transmission of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Gou Yudan (Suzhou Everbright Photonics Co., Ltd., Suzhou 215000, China) ,  Wang Jun (College of Electronics and Information Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Wang Jun (Key Laboratory of Wireless Power Transmission of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Wang Jun (Suzhou Everbright Photonics Co., Ltd., Suzhou 215000, China) ,  Cheng Yang (Suzhou Everbright Photonics Co., Ltd., Suzhou 215000, China) ,  Guo Yintao (Suzhou Everbright Photonics Co., Ltd., Suzhou 215000, China) ,  Xiao Xiao (Suzhou Everbright Photonics Co., Ltd., Suzhou 215000, China) ,  Zhou Shouhuan (College of Electronics and Information Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China)
資料名： Coatings (Web)  (Coatings (Web))
巻： 10  号： 8  ページ： 797  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7162A  ISSN： 2079-6412  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VCSEL(垂直空洞表面発光レーザ)は有望なオプトエレクトロニクスデバイスであるが,その高い製造コストが応用の範囲を制限する。より大きなサイズのウエハ上の成長は,コストを低減する有効な方法である。しかし,成長速度の均一性はウエハ上のデバイス性能の均一性を確保するために最適化する必要がある。本論文は,実験およびシミュレーションを通して,8つの6インチ遊星反応器を用いて,成長速度均一性に影響を及ぼす因子を調査した。37slmのキャリアガス流量,600sccmのAsH3流量,100:500のAsH3流量比および175Cの天井温度において,0.16%の相対標準偏差を有するAlGaAs層の成長速度均一性を,6インチウエハ上で得た。DBRストップバンド中心の均一性とVCSEL量子井戸波長は,それぞれ,0.142%と0.023%,1の標準偏差で,6インチウエハで受信した。最適化結果に基づいて,9405nmの波長を有するVCSELデバイスの99.95%を6インチウエハ上に実現した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *惑星 ,  製造原価 ,  標準偏差 ,  流量 ,  波長 ,  *反応器 ,  *MOCVD ,  量子井戸 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  成長速度 ,  *垂直共振器形面発光レーザ
準シソーラス用語： 流量比 ,  ガス流量 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 有機金属化学蒸着 ,  垂直共振器面発光レーザ ,  成長モデル ,  成長速度の均一性

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (20件)：

• Lu, Z.; Wang, L.; Zhao, Z.; Shu, S.; Hou, G.; Lu, H.; Tian, S.; Tong, C.; Wang, L. Broad-area laser diodes with on-chip combined angled cavity. Chin. Opt. Lett. 2017, 15, 081402.
• Wang, T.; Wang, L.; Shu, S.; Tian, S.; Zhao, Z.; Tong, C.; Wang, L. Suppression of far-field blooming in high-power broad-area diode lasers by optimizing gain distribution. Chin. Opt. Lett. 2017, 15, 071404.
• Bao, L.; Kim, N.H.; Mawst, L.J.; Elkin, N.N.; Troshchieva, V.N.; Vysotsky, D.V.; Napartovich, A.P. Near-diffraction-limited coherent emission from large aperture antiguided vertical-cavity surface-emitting laser arrays. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 320-322.
• Mereuta, A.; Sirbu, A.; Caliman, A.; Suruceanu, G.; Iakovlev, V.; Mickvic, Z.; Kapon, E. Fabrication and performance of 1.3-μm 10-Gb/s CWDM wafer-fused VCSELs grown by MOVPE. J. Cryst. Growth. 2015, 414, 210-214.
• Yoon, J.; Jo, S.; Chun, I.S.; Jung, I.; Kim, H.-S.; Meitl, M.; Menard, E.; Li, X.; Coleman, J.J.; Paik, U.; et al. GaAs photovoltaics and optoelectronics using releasable multilayer epitaxial assemblies. Nature 2010, 465, 329-333.

タイトルに関連する用語 (7件)： 惑星 ,  MOCVD ,  反応器 ,  VCSEL ,  成長 ,  モデリング ,  実験的研究