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J-GLOBAL ID：202102282742305108   整理番号：21A1476906

熱電子論理回路の動的シミュレーションの研究【JST・京大機械翻訳】

Study of Dynamic Simulation for Thermal-Electronic Logic Circuits

著者 (4件)： Darwish Mahmoud (Budapest University of Technology and Economics (BME),Budapest,Hungary) ,  Neumann Peter (Budapest University of Technology and Economics (BME),Budapest,Hungary) ,  Mizsei Janos (Budapest University of Technology and Economics (BME),Budapest,Hungary) ,  Pohl Laszlo (Budapest University of Technology and Economics (BME),Budapest,Hungary)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： THERMINIC  ページ： 97-102  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 古典的シリコンベース回路開発がスケーリング限界により飽和されるので,計算産業における新しいデバイスと材料は最近大きな関心事である。熱電子論理回路(TELC)の概念は,従来のCMOS回路を増強またはそれらを置き換えるための有望なアプローチである。二酸化バナジウム(VO_2)の半導体-金属転移(SMT)は,電気的および熱的に情報フローの伝達および制御を可能にするので,TELCの主な部分である。本論文では,最初のTELCインバータを導入し,動的シミュレーションを行い,その挙動を試験し,伝搬遅延と入力電圧の間の関係を実証した。新しい相転移モデルを用いて,SUNREDシミュレータをアップグレードした。この新しいバージョンは正確で,動的シミュレーションに適していることを証明した。本論文は,SMT材料の最初の動的シミュレーションを提示する。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相転移 ,  シミュレータ ,  *論理回路 ,  金属-半導体転移
準シソーラス用語： 伝搬遅延 ,  *動的シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 論理回路 ,  動的シミュレーション ,  研究