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J-GLOBAL ID：202102282862429141   整理番号：21A1006725

電着Pd膜上の低過電圧でのギ酸への電気触媒CO_2還元:CO形成の抑制による安定化性能【JST・京大機械翻訳】

Electrocatalytic CO₂ Reduction to Formate at Low Overpotentials on Electrodeposited Pd Films: Stabilized Performance by Suppression of CO Formation

著者 (7件)： Zhou Fengling (ARC Centre of Excellence for Electromaterials Science, Monash University, Clayton, VIC, 3800, Australia) ,  Zhou Fengling (School of Chemistry, Monash University, Clayton, VIC, 3800, Australia) ,  Li Haitao (School of Chemistry, Monash University, Clayton, VIC, 3800, Australia) ,  Fournier Maxime (ARC Centre of Excellence for Electromaterials Science, Monash University, Clayton, VIC, 3800, Australia) ,  Fournier Maxime (School of Chemistry, Monash University, Clayton, VIC, 3800, Australia) ,  MacFarlane Douglas R. (ARC Centre of Excellence for Electromaterials Science, Monash University, Clayton, VIC, 3800, Australia) ,  MacFarlane Douglas R. (School of Chemistry, Monash University, Clayton, VIC, 3800, Australia)
資料名： ChemSusChem  (ChemSusChem)
巻： 10  号： 7  ページ： 1509-1516  発行年： 2017年 
JST資料番号： A1411A  ISSN： 1864-5631  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パラジウムナノ粒子は触媒CO_2還元に効果的である。しかし,CO_2還元シーケンスにおける最も重要な生成物の1つであるCOは,Pd表面に強い親和性を持ち,触媒サイトを迅速に被毒する。本研究では,電着Pd膜は,低過電圧でのCO生成の抑制により,ギ酸塩へのCO_2還元に対して高い活性を示した。Pd膜の基板,電着プロセス及び後処理はCO_2還元経路に大きく影響した。サイクリックボルタンメトリー堆積は,より多孔質形態を示す膜を生成し,一定電位で生成した膜よりもギ酸塩に対して高い電流効率を示した。これらの膜は,低い過電圧で安定なCO_2還元性能を示し,検出可能なCO生成のない可逆水素電極に対して-0.4Vの電位でのギ酸塩生成に対する高い電流効率(基板に依存して≒50-60%)を示した。ここで述べた新しい電着プロセスにより生成したPd表面は,ギ酸塩生成を促進し,CO形成を抑制するナノ構造を生成すると思われる。Copyright 2021 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電位 ,  *電着 ,  *パラジウム ,  電流効率 ,  *過電圧 ,  多孔性 ,  電気化学 ,  親和性 ,  水素電極 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  ナノ構造 ,  脂肪族カルボン酸
準シソーラス用語： ホルマート ,  *パラジウム膜 ,  パラジウムナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気化学 ,  ナノ構造 ,  パラジウム ,  還元 ,  薄膜

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

物質索引 (1件)： ギ酸

タイトルに関連する用語 (8件)： 電着 ,  Pd膜 ,  過電圧 ,  ギ酸 ,  触媒 ,  還元 ,  CO ,  安定化