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J-GLOBAL ID：202102282883698848   整理番号：21A0552472

In/Si(111)表面上の金属フタロシアニン超薄膜の電子構造

Electronic structure of ultrathin metal phthalocyanine films on In/Si(111)

著者 (4件)： 八田振一郎 (京都大学大学院理学研究科) ,  松原燦 (京都大学大学院理学研究科) ,  奥山弘 (京都大学大学院理学研究科) ,  有賀哲也 (京都大学大学院理学研究科)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)
巻： 2020  ページ： 131(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U1883A  ISSN： 2434-8589  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： In/Si(111)表面上の金属フタロシアニン(MPc; M=Fe,Co,Ni,Cu)超薄膜の電子構造を角度分解光電子分光法により調べた。単分子層FePcとCoPcでは,e_g軌道と表面状態との混成が示唆された。NiPcとCuPcでは3d電子状態に変化は見られなかったが, 1 eV付近に単分子層特有の状態が観測された。分子の自己組織化や表面の電気伝導に対する界面電子状態の影響についても議論する。(著者抄録)

シソーラス用語： *金属フタロシアニン ,  超薄膜 ,  *電子状態 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  単分子層 ,  自己組織化 ,  *電気伝導
準シソーラス用語： 角度分解光電子分光法

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  金属フタロシアニン ,  超薄膜 ,  電子構造