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J-GLOBAL ID：202102283183822796   整理番号：21A0697076

CaMoO₄の硫化によるMoS₂薄膜の作製

Synthesis of MoS₂ thin films on single crystal CaMoO₄ by sulfurization

著者 (4件)： 内藤樹 (北大 大学院) ,  柳瀬隆 (北大 大学院) ,  長浜太郎 (北大 大学院) ,  島田敏宏 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10a-Z29-1  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】層状物質である二硫化モリブデン(MoS2)は層数に依存したバンドギャップを持つことや熱的・機械的安定性の高さから原子層半導体としての応用が期待されている。実用化には高い結晶性をもったドメインサイズの大きいMoS2単層膜が求められてお...【本文一部表示】

シソーラス用語： エピタクシー ,  最適化 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  *カルシウム ,  *モリブデン ,  酸化物 ,  *硫化 ,  結晶度 ,  硫黄 ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  Raman分光法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  ドメイン構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫化 ,  MoS2 ,  薄膜 ,  作製