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J-GLOBAL ID:202102283522010056   整理番号:21A0874116

異なる温度と圧力における石英とPb4+ドープSiO_2結晶のRamanスペクトル【JST・京大機械翻訳】

Raman Spectra of Quartz and Pb4+-Doped SiO2 Crystals at Different Temperature and Pressure
著者 (4件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 569  発行年: 2019年 
JST資料番号: U7169A  ISSN: 2073-4352  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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新しいRaman結晶を探索するために,異なる温度と圧力でのPb4+ドープSiO_2結晶と同様に,石英のRaman周波数に関する議論を示した。その結果,圧力が増加するにつれて,Raman線は-SiO_2結晶に対して高周波数側へシフトし,一方,-SiO_2結晶に対しては,主線は低周波数に移動した。Pb4+ドープ-SiO_2結晶からいくつかの新しいピークが発生した。Pb4+ドープ-SiO_2結晶は,低周波数域で強くて十分なRamanビームを示した。翼形スペクトルが現れ,高温と圧力で広がった。Pb4+ドープSiO_2結晶は優れたRaman結晶候補であると推論できた。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 
引用文献 (15件):
  • Dick, S.; Bell, S. Quantitative surface-enhanced Raman spectroscopy of single bases in oligodeoxynucleotides. Faraday Discuss. 2017, 37, 1012-1024.
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  • Nishizawa, J.; Suto, K. Semiconductor Raman laser. J. Appl. Phys. 1980, 51, 2429-2431.
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  • Frank, M.; Snetanin, S.N.; Jelinek, M.; Vyhlidal, D.; Shukshin, V.E.; Ivleva, L.I.; Zverev, P.G.; Kubecek, V. Efficient synchronously-pumped all-solid-state Raman laser at 1178 and 1227 nm on stretching and bending anionic group vibrations in a SrWO4 crystal with pulse shortening down to 1.4 ps. Opt. Laser Technol. 2019, 119, 105660.
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